Growth of GaSb and InSb quantum dots on GaAs (311)A by droplet epitaxy
(液滴エピタキシー法によるGaAs(311)A基板上のGaSbとInSbドットの成長)
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors. 2010年05月31日-2010年06月04日.
NIMS著者
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作成時刻: 2022-09-05 12:51:22 +0900 更新時刻: 2022-09-05 12:51:22 +0900