STM study on the initial stage of Te adsorption on Si(100)
(Si(100)基板上Te原子の初期吸着状態のSTM観察)
The International symposium on control of semiconductor interfac. 2002年10月21日-2002年10月25日.
NIMS著者
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作成時刻: 2022-09-05 11:16:37 +0900 更新時刻: 2022-09-05 11:16:37 +0900