In-situ determination of the carrier concentration of p- and n-type GaAs (001) by Reflectance Anisotropy Spectroscopy (RAS)
(反射率差分分光法によるp型およびn型GaAs(001)の電荷密度その場測定)
13th International Conference on Crystal Growth. 2001年07月30日-2001年08月04日.
NIMS著者
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作成時刻: 2022-09-05 11:08:11 +0900 更新時刻: 2022-09-05 11:08:11 +0900