Precise control of size and density of self-assembled Ge dot on Si(100) by C-induced strain-engineering
(C原子の歪誘起による Si(100)基板上自己組織化Geドットのサイズと密度の精密制御)
The International symposium on control of semiconductor interfac. 2002年10月21日-2002年10月25日.
NIMS著者
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作成時刻: 2022-09-05 11:16:37 +0900 更新時刻: 2022-09-05 11:16:37 +0900