Enhanced hole channel mobility in hexagonal boron nitride/hydrogen-terminated diamond heterojunction field-effect transistors
12th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2026). 2026年10月11日-2026年10月15日. 招待講演
NIMS著者
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作成時刻: 2026-11-10 03:07:39 +0900 更新時刻: 2026-11-10 03:07:39 +0900