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[公開特許出願] 多ホウ化物を使用した磁気メモリー素子及び磁場センサー素子

2004-12-16. 特開2004356404号 (Google Patents)

NIMS著者


作成時刻 :2023-07-22 21:44:54 +0900 更新時刻 :2023-07-22 21:44:54 +0900

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