HOME > 公開特許出願 > 書誌詳細[公開特許出願] Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2型化合物半導体を用いた磁気抵抗素子及びその製造方法、これを用いた磁気記憶装置並びにスピントランジスタ2019-06-23. US2019237099 (Google Patents) WO2017222038 (Google Patents) NIMS著者宝野 和博大久保 忠勝三谷 誠司高橋 有紀子葛西 伸哉作成時刻 :2023-07-22 21:45:58 +0900 更新時刻 :2023-07-22 21:45:58 +0900