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[公開特許出願] 遷移金属をドープした希土類ホウ炭化物系熱電半導体、その製造方法及び熱電発電素子

2011-12-08. 特開2011249630号 (Google Patents) , 特許5713283号

NIMS著者


作成時刻 :2023-07-22 21:45:30 +0900 更新時刻 :2023-07-22 21:45:30 +0900

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