HOME > Published patent applications > Detail[Published patent application] IV族-空孔センターの生成方法、及び、IV族-空孔センターを有するダイヤモンド結晶の製造方法2026-07-15. WO2025053177 (Google Patents) EP4775719 (Google Patents) NIMS author(s)MIYAKAWA, MasashiCreated at :2025-03-18 03:08:33 +0900 Updated at :2025-03-18 03:08:33 +0900