水素終端ダイヤモンド/六方晶窒化ホウ素ヘテロ構造を用いた高移動度トランジスタ
(High-Mobility Transistor Based on a Hydrogen-Terminated Diamond/h-BN Heterostructure)
NIMS著者
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作成時刻: 2026-07-16 03:05:59 +0900 更新時刻: 2026-07-16 03:05:59 +0900