液体ビス（エチルシクロペンタジエニル）スズ、Sn(EtCp)2を合成して、原子層堆積法（ALD）の原料として適した蒸気圧や230℃までの熱安定性など、いくつかの顕著な特性を示した。O2プラズマを酸化剤としたPEALDにより、SnO2薄膜を成膜した。成長温度200℃において、Sn(EtCp)2とO2プラズマのパルス時間10秒および45秒で自己制御反応が確認された。サイクル当たり成長速度(GPC)は0.20 nm/サイクルであり、従来の原料よりも高い値を示した。透過型電子顕微鏡の断面観察により、200℃で成膜したSnO2膜が均一かつ多結晶であった。X線回折分析により、この膜が(110)方位を優先成長した正方晶ルチル型SnO2構造を有することが分かった。Sn(EtCp)2は、低温でも化学量論組成・高純度・高結晶性を有する高品質SnO2薄膜の成膜に有望なALD原料である。