Confinement, overflow, and emission of holes on SiGe surface with Ge dots: Heterogeneous hole redistribution and its application to virtual dot manipulation | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Confinement, overflow, and emission of holes on SiGe surface with Ge dots: Heterogeneous hole redistribution and its application to virtual dot manipulation
(SiGe表面上のGeドットにおける正孔の閉じ込め、湧出、放出：正孔の不均一再分布とそのバーチャルドットへの応用)

Masashi Ishii, Sarnjeet S. Dhesi, Bruce Hamilton.

Applied Physics Letters 95 [9] 093101. 2009.

https://doi.org/10.1063/1.3220065

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作成時刻: 2016-05-24 15:52:00 +0900更新時刻: 2024-03-31 17:51:08 +0900

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