A. Uedono; S. Ishibashi; T. Watanabe; X. Q. Wang; S. T. Liu; G. Chen; L. W. Sang; M. Sumiya; B. Shen

doi:10.1063/1.4732141

Vacancy-type defects in InxGa1–xN alloys probed using a monoenergetic positron beam

著者	A. Uedono, S. Ishibashi, T. Watanabe, X. Q. Wang, S. T. Liu, G. Chen, L. W. Sang, M. Sumiya, B. Shen.
掲載誌名	Journal of Applied Physics 112 [1] 014507 ISSN: 00218979, 10897550 ESIでのカテゴリ: PHYSICS
出版社	AIP Publishing
発表年	2012
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1063/1.4732141
この文献をMendeleyにインポート