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著者名A. Uedono, S. Ishibashi, T. Watanabe, X. Q. Wang, S. T. Liu, G. Chen, L. W. Sang, M. Sumiya, B. Shen.
タイトルVacancy-type defects in InxGa1–xN alloys probed using a monoenergetic positron beam
掲載誌名Journal of Applied Physics 112 [1] 014507
ISSN: 10897550 00218979
発表年2012
言語English
ESIでのカテゴリPHYSICS
DOIhttps://doi.org/10.1063/1.4732141
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