Improvement of Ferroelectric Properties in Hf
0.5
Zr
0.5
O
2
Capacitors Using Laminated ITO Electrodes
NIMS著者
論文紹介
積層型ITO電極を用いたHf0.5Zr0.5O2キャパシタにおける強誘電特性の改善
HfO2強誘電体はシリコンベースの半導体技術との優れた親和性から大きな注目を集めているが、実用化する上で信頼性に関するいくつかの課題に直面している。その一つがウェイクアップ効果であり、残留分極が最大になるまで電場のサイクル印加が必要となっている。我々は積層型インジウムスズ酸化物(ITO)電極を用いたHf0.5Zr0.5O2キャパシタにおいて、この強誘電特性の顕著な改善を実現した。
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2026-03-12 03:11:43 +0900 更新時刻: 2026-07-16 04:31:59 +0900