光誘導屈折率性LiNbO3および LiTaO3中のレーザー誘導メモリービッ

Saulius Juodkazis; Vygantas Mizeikis; Markas Sūdžius; Hiroaki Misawa; Kenji Kitamura; Shunji Takekawa; Eugene G. Gamaly; Wieslaw Z. Krolikowski; Andrei V. Rode; Saulius Juodkazis; Vygantas Mizeikis; Markas Sūdžius; Hiroaki Misawa; Kenji Kitamura; Shunji Takekawa; Eugene G. Gamaly; Wieslaw Z. Krolikowski; Andrei V. Rode

doi:10.1007/s00339-008-4641-9

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Laser induced memory bits in photorefractive LiNbO3 and LiTaO3
(光誘導屈折率性LiNbO3および LiTaO3中のレーザー誘導メモリービッ)

Saulius Juodkazis, Vygantas Mizeikis, Markas Sūdžius, Hiroaki Misawa, Kenji Kitamura, Shunji Takekawa, Eugene G. Gamaly, Wieslaw Z. Krolikowski, Andrei V. Rode.

Applied Physics A 93 [1] 129-133. 2008.

https://doi.org/10.1007/s00339-008-4641-9

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作成時刻: 2016-05-24 15:30:47 +0900 更新時刻: 2026-11-01 04:45:37 +0900

Laser induced memory bits in photorefractive LiNbO3 and LiTaO3(光誘導屈折率性LiNbO3および LiTaO3中のレーザー誘導メモリービッ)

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Laser induced memory bits in photorefractive LiNbO3 and LiTaO3
(光誘導屈折率性LiNbO3および LiTaO3中のレーザー誘導メモリービッ)