Thermal boundary resistance at Si/Ge interfaces by molecular dynamics simulation | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Thermal boundary resistance at Si/Ge interfaces by molecular dynamics simulation
(分子動力学を用いたSi/Ge界面熱抵抗について研究 )

Tianzhuo Zhan, Satoshi Minamoto, Yibin Xu, Yoshihisa Tanaka, Yutaka Kagawa.

AIP Advances 5 [4] 047102. 2015.

https://doi.org/10.1063/1.4916974

Open Access AIP Publishing (Publisher)

NIMS著者

徐一斌

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2016-05-24 17:48:07 +0900 更新時刻: 2026-09-29 04:39:32 +0900

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