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Forming and switching mechanisms of a cation-migration-based oxide resistive memory
(カチオン移動型抵抗変化メモリーのフォーミングおよびスイッチング機構)

T Tsuruoka, K Terabe, T Hasegawa, M Aono.
Nanotechnology 21 [42] 425205. 2010.

NIMS著者


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      作成時刻: 2016-05-24 16:11:06 +0900更新時刻: 2024-09-12 08:01:13 +0900

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