Optical properties of In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by heterogeneous droplet epitaxy with post-growth annealing | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Optical properties of In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by heterogeneous droplet epitaxy with post-growth annealing
(液滴エピタキシィにより作製したInGaAs/GaAs量子ドットの光学的性質に及ぼす成長後アニール効果の影響)

Lee CM, Noh SK, Lee DH, Leem JY, Han IK, Mano T, KOGUCHI, Nobuyuki.

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 41 [5] 1579-1582. 2002.

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2016-05-24 11:54:31 +0900 更新時刻: 2018-12-15 01:29:11 +0900

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