Cross-sectional scanning tunneling microscopy study of InGaAs quantum dots on GaAs(001) grown by heterogeneous droplet epitaxy | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Cross-sectional scanning tunneling microscopy study of InGaAs quantum dots on GaAs(001) grown by heterogeneous droplet epitaxy
(液滴エピタキシィにより作製したInGaAs量子ドットの走査トンネル顕微鏡による断面観察)

N. Liu, H. K. Lyeo, C. K. Shih, M. Oshima, T. Mano, N. Koguchi.

Applied Physics Letters 80 [23] 4345-4347. 2002.

https://doi.org/10.1063/1.1479196

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作成時刻: 2016-05-24 11:54:32 +0900更新時刻: 2024-03-29 17:42:53 +0900

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