Site-Controlled In(Ga)As Quantum Dots Fabricated by the Nano-Jet Probe Method | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

HOME > 論文 > 書誌詳細

Site-Controlled In(Ga)As Quantum Dots Fabricated by the Nano-Jet Probe Method
(ナノジェットプローブ法により作製したIn(Ga)As位置制御量子ドット)

Shunsuke Ohkouchi, Nobuhiko Ozaki, SUGIMOTO, Yoshimasa, Hiroshi Ishikawa, Kiyoshi Asakawa.

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 1819-1821. 2009.

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2022-10-21 22:42:11 +0900 更新時刻: 2022-10-21 22:42:11 +0900

▲ページトップへ移動