Improved depth profiling with slow positrons of ion implantation-induced damages in silicon
(低速陽電子によるSi中のイオン照射欠陥の解析における深さ分解能の向上)
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2016-05-24 11:59:15 +0900 更新時刻: 2026-10-29 04:38:46 +0900