HOME > 論文 > 書誌詳細Reduction Mechanism of Dislocation Density in GaAs Films on Si Substrates下村博史, 岡田義高, 松本久, 川辺光央, 北見喜三, 板東義雄. Japan Journal of Applied Physics 632-636. 1993.NIMS著者Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2022-09-05 10:36:50 +0900 更新時刻: 2022-09-05 10:36:50 +0900
