陽電子消滅同時計数ドップラー幅測定によるSi中の照射欠陥の研究
(Defect study on ion implanted Si with coincidence Doppler broadening measurements)
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2022-11-15 00:40:31 +0900 更新時刻: 2022-11-15 00:40:31 +0900