Investigating the origin of intense photoluminescence in Si capping layer on Ge<sub>1−x</sub>Sn<sub>x</sub> nanodots by transmission electron microscopy | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Investigating the origin of intense photoluminescence in Si capping layer on Ge1−xSnx nanodots by transmission electron microscopy
(Ge1-xSnx nanodots上のSiキャップ層内におけるフォトルミネッセンス起源の透過電子顕微鏡解析)

Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Norihito Fujinoki, Masakazu Ichikawa.

Journal of Applied Physics 113 [7] 074302. 2013.

https://doi.org/10.1063/1.4792647

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作成時刻: 2016-05-24 16:56:38 +0900更新時刻: 2024-03-31 13:01:57 +0900

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