Robustness of Basal-Plane Antiferromagnetic Order and the<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mi>J</mml:mi><mml:mi>eff</mml:mi></mml:msub><mml:mo mathvariant="bold">=</mml:mo><mml:mn>1</mml:mn><mml:mo>/</mml:mo><mml:mn>2</mml:mn></mml:math>State in Single-Layer Iridate Spin-Orbit Mott Insulators | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Robustness of Basal-Plane Antiferromagnetic Order and theJeff=1/2State in Single-Layer Iridate Spin-Orbit Mott Insulators
(単一層スピン・軌道モット絶縁体におけるJeff=1/2二次元平面反強磁性秩序状態の構造歪みに対する堅牢性)

S. Boseggia, R. Springell, H. C. Walker, H. M. Rønnow, Ch. Rüegg, H. Okabe, M. Isobe, R. S. Perry, S. P. Collins, D. F. McMorrow.

Physical Review Letters 110 [11] 117207. 2013.

https://doi.org/10.1103/physrevlett.110.117207

NIMS著者

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作成時刻: 2016-05-24 16:55:41 +0900更新時刻: 2024-03-31 16:12:23 +0900

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