Reduction in Raman Intensity of Si(111) due to Defect Formation During Ion Irradiation | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Reduction in Raman Intensity of Si(111) due to Defect Formation During Ion Irradiation
(イオン照射中の欠陥生成によるSi(111)面のラマン強度減少)

K. Ishioka, 中村一隆, M. Kitajima, K.G. Nakamura.

Solid State Communications 96 [6] 387-390. 1995.

https://doi.org/10.1016/0038-1098(95)00419-x

NIMS著者

石岡邦江

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2016-05-24 11:36:00 +0900更新時刻: 2024-04-01 23:22:36 +0900

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