SAMURAI - NIMS Researchers Database

HOME > 論文 > 書誌詳細

Reduction in Raman Intensity of Si(111) due to Defect Formation During Ion Irradiation
(イオン照射中の欠陥生成によるSi(111)面のラマン強度減少)

K. Ishioka, 中村一隆, M. Kitajima, K.G. Nakamura.
Solid State Communications 96 [6] 387-390. 1995.
https://doi.org/10.1016/0038-1098(95)00419-x

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

    作成時刻: 2016-05-24 11:36:00 +0900 更新時刻: 2025-04-16 05:44:52 +0900

    ▲ページトップへ移動