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Possibleexplanation of the temperature dependance of diagonal resistivity at v=1 in thrme of skyrmion backscatterings
(v=1 量子ホール効果状態における対角電気抵抗率の温度依存性に対するスカーミオン後方散乱による説明)

TAKAMASU, Tadashi, 木戸義勇, 大野実, 三浦登, 遠藤彰, 勝本真吾, 加藤真由美, 家泰弘.

NIMS著者


    Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット


      作成時刻: 2022-11-15 00:39:16 +0900更新時刻: 2022-11-15 00:39:16 +0900

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