Bias voltage dependence of tunneling magnetoresistance in granular C60–Co films with current-perpendicular-to-plane geometry | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Bias voltage dependence of tunneling magnetoresistance in granular C60–Co films with current-perpendicular-to-plane geometry
(C60-Coグラニュラー薄膜における膜面垂直トンネル磁気抵抗効果のバイアス電圧依存性)

Seiji Sakai, Seiji Mitani, Yoshihiro Matsumoto, Shiro Entani, Pavel Avramov, Manabu Ohtomo, Hiroshi Naramoto, Koki Takanashi.

Journal of Magnetism and Magnetic Materials 324 [12] 1970-1974. 2012.

https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2012.01.033

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作成時刻: 2016-05-24 16:39:07 +0900 更新時刻: 2026-04-02 06:40:30 +0900

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