Control of structure, size and density of Ge dot on Si(100) through multistep procedure | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Control of structure, size and density of Ge dot on Si(100) through multistep procedure
(多段階法によるGeドットの構造・サイズ・密度の制御)

WAKAYAMA, Yutaka, G.Gerth, P.Werner, U.Goesele, L.V.Sokolov.

Journal of Crystal Growth . 2001.

NIMS著者

若山裕

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2022-09-05 11:06:32 +0900更新時刻: 2022-09-05 11:06:32 +0900

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