Prepareration of size-quantized ZnS thin films using electrochemical atomic layer epitaxy and their photoelectrochemical propert | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Prepareration of size-quantized ZnS thin films using electrochemical atomic layer epitaxy and their photoelectrochemical propert
(電気化学原子層成長によるZuS薄膜の作製とその光化学特性)

鳥本司, 大林敦, 桑畑進, 保田英洋, 森博太郎, 米山宏, Tsukasa Torimoto, Atsushi Obayashi, Susumu Kuwabata, Hidehiro Yasuda, Hirotaro Mori, Hiroshi Yoneyama.

Langmuir 16 [13] 5820-5824. 2000.

https://doi.org/10.1021/la000133y

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作成時刻: 2016-05-24 11:42:03 +0900 更新時刻: 2026-11-02 05:25:37 +0900

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