Vacancy-type defects introduced by mechanical polishing in ammonothermal GaN studied by a monoenergetic positron beam

Akira Uedono; Shoji Ishibashi; Kohei Shima; Shigefusa F. Chichibu; Kacper Sierakowski; Makoto Oishi; Noriyuki Okada; Takuro Nagai; Michal Bockowski; Akira Uedono; Shoji Ishibashi; Kohei Shima; Shigefusa F. Chichibu; Kacper Sierakowski; Makoto Oishi; Noriyuki Okada; Takuro Nagai; Michal Bockowski

doi:10.1016/j.jcrysgro.2026.128622

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Vacancy-type defects introduced by mechanical polishing in ammonothermal GaN studied by a monoenergetic positron beam

Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Kacper Sierakowski, Makoto Oishi, Noriyuki Okada, Takuro Nagai, Michal Bockowski.

Journal of Crystal Growth 688 128622. 2026.

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2026.128622

Open Access Elsevier BV (Publisher) Materials Data Repository (MDR)

NIMS著者

論文紹介

単一エネルギー陽電子ビームを用いた、アモノサーマル法GaNにおいて機械研磨により生じた空孔型欠陥の研究

単一エネルギー陽電子ビームを用いて、アモノサーマル法で合成したGaNに機械研磨によって導入された空孔型欠陥およびそのアニール挙動について解析を行った。機械研磨後、表面直下領域（240 nm未満）に陽電子消滅法によって検出された空孔型欠陥は、複空孔（V_GaV_N）およびそれらが水素原子と形成した複合体であった。1400℃での超高圧アニール試料における主要な空孔型欠陥は、複数のV_Nと結合したV_Ga（V_Ga(V_N)₃等）およびそれらが水素原子と形成した複合体であることが確認された。

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MDRavailable Vacancy-type defects introduced by mechanical polishing in ammonothermal GaN studied by a monoenergetic positron beam

作成時刻: 2026-04-18 03:07:26 +0900 更新時刻: 2026-06-20 04:36:39 +0900