HOME > 論文 > 書誌詳細Initial growth and dislocation accommodation of GaAs on Si(100) by molecular beam epitaxyBANDO, Yoshio, 高杉英利, 川辺光夫. Jap.J.Appl.Phys. 584. 1987.NIMS著者板東 義雄Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2022-09-05 10:28:20 +0900 更新時刻: 2022-09-05 10:28:20 +0900
