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著者名Wei Lin, Dierre Benjamin, Shuping Li, Takashi Sekiguchi, Shun Ito, Junyong Kang.
タイトルBand Engineering in Strained GaN/ultrathin InN/GaN Quantum Wells
掲載誌名Crystal Growth & Design 9 4 1698 1701
ISSN: 15287505 15287483
発表年2009
言語English
DOI10.1021/cg8003867
ESIでのカテゴリCHEMISTRY
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