HOME > 論文 > 書誌詳細Phonon Confinement in GaAs by Defect Formation Studied by Real-Time Raman Measurements(実時間ラマン測定法を用いたGaAs中での欠陥生成によるフォノン閉じこめの研究 )K. Ishioka, 中村一隆, M. Kitajima, K. G. Nakamura. Physical Review B 52 [4] 2539-2542. 1995.https://doi.org/10.1103/physrevb.52.2539 NIMS著者石岡 邦江Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2016-05-24 11:35:32 +0900更新時刻: 2024-04-02 00:12:13 +0900