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著者名Xi Wang, Qunhong Weng, Xizheng Liu, Xuebin Wang, Dai-Ming Tang, Wei Tian, Chao Zhang, Wei Yi, Dequan Liu, Yoshio Bando, Dmitri Golberg.
タイトルAtomistic Origins of High Rate Capability and Capacity of N-Doped Graphene for Lithium Storage
掲載誌名Nano Letters 14 [3] 1164-1171
ISSN: 15306984 15306992
発表年2014
言語English
ESIでのカテゴリPHYSICS
DOIhttps://doi.org/10.1021/nl4038592
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