Positive field and Temperature dependencies of critical current density in vanakium3-gallium and niobium3-aluminium | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

HOME > 論文 > 書誌詳細

Positive field and Temperature dependencies of critical current density in vanakium3-gallium and niobium3-aluminium
(V3GaとNb3Alにおける臨界電流密度の正の磁場依存性と温度依存性)

TAKEUCHI, Takao, 田川浩平, ITOH, Kikuo, KOSUGE, Michio, YUYAMA, Michinari, MATSUMOTO, Fumiaki, 和田仁.

Advances in cryogenic Engineering 1003-1010. 2000.

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2022-11-15 00:39:26 +0900更新時刻: 2022-11-15 00:39:26 +0900

▲ページトップへ移動