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Reflection high-energy diffraction intensity oscillation during GexSi1-x MBE Growth on Si(001) substrates

BANDO, Yoshio, 坂本邦博, 坂本統徳, 永尾悟, 橋口元, 国吉克哉.
Jap.J.Appl.Phys. 666. 1987.

NIMS著者


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    作成時刻: 2022-09-05 10:28:18 +0900 更新時刻: 2022-09-05 10:28:18 +0900

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