Low-temperature (180 °C) formation of large-grained Ge (111) thin film on insulator using accelerated metal-induced crystallization
(金属誘起結晶化を利用した大面積粒界を持つGe(111)薄膜の低温180℃形成)
NIMS著者
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作成時刻: 2016-05-24 17:30:39 +0900更新時刻: 2024-03-31 13:56:19 +0900