Low-temperature (180 °C) formation of large-grained Ge (111) thin film on insulator using accelerated metal-induced crystallization | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Low-temperature (180 °C) formation of large-grained Ge (111) thin film on insulator using accelerated metal-induced crystallization
(金属誘起結晶化を利用した大面積粒界を持つGe(111)薄膜の低温180℃形成)

K. Toko, R. Numata, N. Oya, N. Fukata, N. Usami, T. Suemasu.

Applied Physics Letters 104 [2] 022106. 2014.

https://doi.org/10.1063/1.4861890

NIMS著者

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作成時刻: 2016-05-24 17:30:39 +0900 更新時刻: 2026-09-29 07:05:31 +0900

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