In situ determination of Sb distribution in Sb/GaAs(001) layer for high-density InAs quantum dot growth | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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In situ determination of Sb distribution in Sb/GaAs(001) layer for high-density InAs quantum dot growth
(高密度InAs量子ドット成長におけるSb/GaAs(001)層内のSb分布のその場観察)

Toshiyuki Kaizu, Masamitu Takahasi, Koichi Yamaguchi, Jun’ichiro Mizuki.

Journal of Crystal Growth 310 [15] 3436-3439. 2008.

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.05.008

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作成時刻: 2016-05-24 15:30:32 +0900 更新時刻: 2026-11-01 05:19:21 +0900

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