HOME > 論文 > 書誌詳細Doping and characterization of impurity atoms in Si and Ge nanowires(SiおよびGeナノワイヤへの不純物ドーピングと評価)Naoki Fukata. physica status solidi c 11 [2] 320-330. 2014.https://doi.org/10.1002/pssc.201300106 NIMS著者Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2016-05-24 17:21:07 +0900更新時刻: 2024-03-31 15:24:25 +0900
