交換バイアス効果は、磁気記録デバイスの性能向上など、現代の半導体技術の進歩に重要な役割を果たしている。しかし、従来の多層膜を基本とする交換バイアス材料は、高品質な生産に課題がある。そのため、交換バイアス効果を発揮するバルク材料系の開発が求められている。我々は、わずかな冷却磁場で大きな交換バイアス効果を示すバルク磁性材料の合成に成功し（図１）、交換バイアス効果がスピン軌道相互作用によって増強されていることを示唆した。さらに、既存のバルク材料とは本質的に異なる発現機構が関与している可能性があるため、その機構を探求し、新機構に基づく有望な交換バイアス材料の開発を目指している。

高温高圧下で成長させた機能性結晶の写真例を図2に示す。一般的に、酸化物の場合、高圧下で成長させた機能性結晶の例は少なく、通常は多結晶試料の合成に限定されることがほとんどだ。しかし、我々は高温高圧下での詳細な結晶成長条件を検討し、試行錯誤を続けることで、小さなサイズスケールではあるが、結晶成長を実現することができた。結晶が得られると、基礎物性の評価が進み、これまで未解明だった機能性の発現機構に関する新たな知見が得られるだけでなく、新材料の開発にも有用な進展が期待できる。