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山崎 隆浩 (YAMASAKI, Takahiro) 0000-0002-1915-7820

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論文 TSV

2022
  1. Yoshiyuki Yamashita, Jun Nara, Efi Dwi Indari, Takahiro Yamasaki, Takahisa Ohno, Ryu Hasunuma. Experimental and theoretical studies on atomic structures of the interface states at SiO2/4H-SiC(0001) interface. Journal of Applied Physics. 131 [21] (2022) 215303 10.1063/5.0093267
2019
  1. Takahiro Yamasaki, Akiyoshi Kuroda, Toshihiro Kato, Jun Nara, Junichiro Koga, Tsuyoshi Uda, Kazuo Minami, Takahisa Ohno. Multi-axis decomposition of density functional program for strong scaling up to 82,944 nodes on the K computer: Compactly folded 3D-FFT communicators in the 6D torus network. Computer Physics Communications. 244 (2019) 264-276 10.1016/j.cpc.2019.04.008
  2. Nobuo Tajima, Jun Nara, Takahiro Yamasaki, Taku Ozawa, Hiroya Nitta, Kosuke Ohata, Takahisa Ohno. Interface of Hydrated Perfluorosulfonic Acid Electrolyte and Platinum Catalyst: Construction of a Dissipative Particle Dynamics Simulation Model. Journal of The Electrochemical Society. 166 [9] (2019) B3156-B3162 10.1149/2.0201909jes
  3. Sota Hida, Takumi Morita, Takahiro Yamasaki, Jun Nara, Takahisa Ohno, Kentaro Kinoshita. Repeatable and reproducible formation/rupture of oxygen vacancy filaments in the vicinity of a polycrystalline HfO2 surface. AIP Advances. 9 [3] (2019) 035309 10.1063/1.5085443
  4. Y. Kagoyama, M. Okamoto, T. Yamasaki, N. Tajima, J. Nara, T. Ohno, H. Yano, S. Harada, T. Umeda. Anomalous carbon clusters in 4H-SiC/SiO2 interfaces. Journal of Applied Physics. 125 [6] (2019) 065302 10.1063/1.5066356
2018
  1. Tomoaki Kaneko, Nobuo Tajima, Takahiro Yamasaki, Jun Nara, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, Takahisa Ohno. First-principles modeling of defect-free abrupt SiC/SiO2 interfaces on a- and m-face 4H-SiC. Applied Physics Express. 11 [10] (2018) 101304 10.7567/apex.11.101304
  2. Nobuo Tajima, Tomoaki Kaneko, Takahiro Yamasaki, Jun Nara, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, Takahisa Ohno. First-principles study on C=C defects near SiC/SiO2 interface: Defect passivation by double-bond saturation. Japanese Journal of Applied Physics. 57 [4S] (2018) 04FR09 10.7567/jjap.57.04fr09
  3. So Takamoto, Takahiro Yamasaki, Jun Nara, Takahisa Ohno, Chioko Kaneta, Asuka Hatano, Satoshi Izumi. Atomistic mechanism of graphene growth on a SiC substrate: Large-scale molecular dynamics simulations based on a new charge-transfer bond-order type potential. Physical Review B. 97 [12] (2018) 125411 10.1103/physrevb.97.125411
  4. Tomoaki Kaneko, Nobuo Tajima, Takahiro Yamasaki, Jun Nara, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, Takahisa Ohno. Hybrid density functional analysis of distribution of carbon-related defect levels at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface. Applied Physics Express. 11 [1] (2018) 011302 10.7567/apex.11.011302
2017
  1. Tomoaki Kaneko, Nobuo Tajima, Takahiro Yamasaki, Takahisa Ohno. First-Principles Analysis on π-bonded Chain Structure on Several Polytypes of SiC Surfaces: Importance of Stacking Sequence on Energetics and Electronic Structures. Journal of the Physical Society of Japan. 86 [9] (2017) 094708 10.7566/jpsj.86.094708
2016
  1. Takumi Moriyama, Takahiro Yamasaki, Takahisa Ohno, Satoru Kishida, Kentaro Kinoshita. Formation Mechanism of Conducting Path in Resistive Random Access Memory by First Principles Calculation Using Practical Model Based on Experimental Results. MRS Advances. 1 [49] (2016) 3367-3372 10.1557/adv.2016.461
  2. Tomoaki Kaneko, Takahiro Yamasaki, Nobuo Tajima, Takahisa Ohno. First-principles study on reconstruction of 4H-SiC(0001) and (0001¯). Surface Science. 647 (2016) 45-50 10.1016/j.susc.2015.11.019
  3. Takahiro Yamasaki, Koichi Kato, Tsuyoshi Uda, Takenori Yamamoto, Takahisa Ohno. First-principles theory of Si(110)-(16 × 2) surface reconstruction for unveiling origin of pentagonal scanning tunneling microscopy images. Applied Physics Express. 9 [3] (2016) 035501 10.7567/apex.9.035501
2015
  1. Sholihun, Mineo Saito, Takahisa Ohno, Takahiro Yamasaki. Density-functional-theory-based calculations of formation energy and concentration of the silicon monovacancy. Japanese Journal of Applied Physics. 54 [4] (2015) 041301 10.7567/jjap.54.041301
2014
  1. Norihiko Takahashi, Takahiro Yamasaki, Chioko Kaneta. Si(100)/SiO2界面酸化の分子動力学シミュレーション：Si関連分子種のSiO2および基板への放出と取り込み. physica status solidi (b). 251 [11] (2014) 2169-2178 10.1002/pssb.201400068
  2. Norihiko Takahashi, Takahiro Yamasaki, Chioko Kaneta. Molecular dynamics study of Si(100)-oxidation: SiO and Si emissions from Si/SiO2 interfaces and their incorporation into SiO2. Journal of Applied Physics. 115 [22] (2014) 224303 10.1063/1.4876911

書籍 TSV

会議録 TSV

2017
  1. TAJIMA, Nobuo, KANEKO, Tomoaki, YAMASAKI, Takahiro, NARA, Jun, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato. A first principles study on the C=C defects near SiC/SiO2 interface: Defect passivation by double bond saturation. Proceedings of Solid State Device Material. (2017) 1077-1078
2016
  1. Takahiro Yamasaki, Nobuo Tajima, Tomoaki Kaneko, Nobutaka Nishikawa, Jun Nara, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, Takahisa Ohno. 4H-SiC Surface Structures and Oxidation Mechanism Revealed by Using First-Principles and Classical Molecular Dynamics Simulations. MATERIALS SCIENCE FORUM. (2016) 429-432 10.4028/www.scientific.net/msf.858.429
2014
  1. 森山拓洋, 山崎 隆浩, 大野 隆央, 岸田悟, 木下健太郎. 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 〜第一原理分子動力学法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析〜. 電子情報通信学会技術研究報告　IEICE Technical Report . (2014) 135-138

口頭発表 TSV

2019
  1. 森田 巧, 高 相圭, 田中 喜典, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 木下健太郎, 木下健太郎. 金属有機構造体(MOF)へのゲスト分子ドーピングに関する理論的研究. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  2. 肥田 聡太, 大野 隆央, 森田 巧, 酒井 貴弘, 山崎 隆浩, 木下健太郎, 奈良 純, 木下健太郎. 多結晶NiO薄膜における溶媒供給効果の理論的検討. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
2018
  1. 宮田 典幸, YAMASAKI, Takahiro, Kyoko Sumita, NARA, Jun, Ryousuke Sano, 野平博司. Interface Dipole Modulation in HfO2/SiO2 MOS Stack Structures. 2018 IEEE International Electron Devices Meeting. 2018
  2. 肥田 聡太, 森田 巧, YAMASAKI, Takahiro, NARA, Jun, OHNO, Takahisa, 木下健太郎. Theoretical Study on Oxygen Vacancies in Crystal Grains in Polycrystalline HfO2 Thin Film. The 2018 MRS Fall Meeting. 2018
  3. NARA, Jun, YAMASAKI, Takahiro, OHNO, Takahisa. First principles study on hydrogen intercalation into buffer layer grown on SiC(0001) surface. The Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMES 2018). 2018
  4. 肥田 聡太, 森田 巧, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 木下健太郎. 多結晶HfO2薄膜における酸素欠陥の凝集・拡散に関する理論的検討. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  5. 金子 智昭, 田島 暢夫, 山崎 隆浩, 加藤弘一, 奈良 純, 清水達雄, 大野 隆央. 第一原理計算によるa-,m-面上の4H-SiC/SiO2 界面モデル構造の構築. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  6. 奈良 純, 山崎 隆浩, 大野 隆央. Theoretical study on hydrogen atom behavior under graphene buffer layer grown on SiC substrate. 34th European Conference on Surface Science. 2018
  7. TAJIMA, Nobuo, NARA, Jun, YAMASAKI, Takahiro, 小沢拓, 新田浩也, 大畠広介, OHNO, Takahisa. Interface of Hydrated Perfluorosulfonic Acid Electrolyte and Platinum Catalyst: Dissipative Particle Dynamics Simulation Model. First International Conference on 4D Materials and System. 2018
  8. TAJIMA, Nobuo, NARA, Jun, YAMASAKI, Takahiro, 小沢拓, 新田浩也, 大畠広介, OHNO, Takahisa. Hydrated perfluorosulfonic acid electrolyte at platinum interface: Dissipative particle dynamics simulation. International Symposium on Polymer Electrolytes. 2018
  9. 大野隆央, 奈良純, 山崎隆浩, 田島暢夫, 甲賀淳一朗. 低炭素社会実現のための密度汎関数法に基づいた第一原理分子動力学シミュレーション技術の 開発. 平成29年度地球シミュレータ利用報告会. 2018
  10. 肥田聡太, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 岸田悟, 木下健太郎. 多結晶HfO2における抵抗スイッチング現象の機構解析 -第一原理計算によるアプローチ-. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  11. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤　弘一, 金田千穂子, 大野 隆央, 加藤　弘一. 4H-SiC/SiO2界面O2酸化の第一原理シミュレーション 〜炭素クラスターの形成と拡散〜. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  12. 濱田 智之, 山崎 隆浩, 大野 隆央. sc-DFT法のPHASE/0への実装とそれを用いた半導体バンドギャップの高精度計算. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  13. 奈良 純, 山崎 隆浩, 大野 隆央. Theoretical study on H intercalation into buffer layer grown on SiC(0001). American Physical Society 2018 March meeting. 2018
2017
  1. 奈良 純, 山崎 隆浩, 大野 隆央. Theoretical study on H intercalation into buffer layer grown on SiC(0001). International Symposium on Epitaxial Graphene 2017. 2017
  2. 山崎 隆浩, 小野祐己, 奈良 純, 大野 隆央. [11-20]方向のステップを持つSiC(0001)表面の初期グラフェン成長の第一原理分子動力学法による解明. International Symposium on Epitaxial Graphene 2017　(ISEG-2017). 2017
  3. 高本聡, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 金田千穂子, 泉聡志. ナノ秒オーダーの分子動力学計算によるSiC表面上のグラフェン成長シミュレーション. International Symposium on Epitaxial Graphene 2017　(ISEG-2017). 2017
  4. 肥田聡太, 山崎 隆浩, 大野 隆央, 清水敦史, 岸田悟, 木下健太郎. 溶媒供給効果による抵抗変化メモリの動作機構解明. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  5. 高本聡, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 金田千穂子, 泉聡志. 分子動力学法によるナノ秒オーダーのSiC表面上のグラフェン成長シミュレーション − 6員環の形成. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  6. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC/SiO2界面におけるNO酸窒化による炭素窒素置換反応. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  7. 奈良 純, 山崎 隆浩, 大野 隆央. First principles study on the interaction between hydrogen atoms and the graphene buffer layer grown on the SiC(0001) surface. 33rd European Conference on Surface Science. 2017
  8. 高本聡, 山崎 隆浩, 大野 隆央, 金田千穂子, 泉聡志, 酒井信介. 電荷移動型分子動力学法による4H-SiCの熱酸化シミュレーショ. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  9. 肥田聡太, 森山拓洋, 山崎 隆浩, 大野 隆央, 吉武 道子, 岸田悟, 木下健太郎. 抵抗変化メモリの導電性パス生成機構 ~Grain surface tiling modelの検証~ . 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  10. 奈良 純, 山崎 隆浩, 大野 隆央. First-principles Study on Early Stage of Graphene Growth on SiC substrate by Si Sublimation. American Physical Society 2017 March meeting. 2017
  11. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC/SiO2界面O2酸化の第一原理シミュレーション 〜界面における炭素関連欠陥の電子状態〜. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  12. 鹿児山陽平, 岡本光央, 吉岡裕典, 原田信介, 山崎 隆浩, 大野 隆央, 梅田享英. C面ドライ酸化4H-SiC MOSFETにおける界面炭素関連欠陥の面内分布解析. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
2016
  1. 森山拓洋, 山崎 隆浩, 肥田聡太, 大野 隆央, 岸田悟, 木下健太郎. 多結晶遷移金属酸化物における抵抗変化機構の理論的検証. 応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  2. 今泉俊介, 高本聡, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 泉聡志. SiC表面上のSi熱脱離グラフェン成長機構に関するナノ秒オーダーの長時間分子動力学解析. 応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  3. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC/SiO2 界面O2 酸化の第一原理シミュレーション　〜SiC(0001)Si 面と(000-1)C 面の違い〜. 応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  4. 肥田聡太, 山崎 隆浩, 森山拓洋, 大野 隆央, 吉武 道子, 岸田悟, 木下健太郎. 抵抗変化メモリ(ReRAM)の導電性パス生成機構の検討　〜 電気的接触法による導電性パス生成の差異 〜. 応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  5. 鹿児山陽平, 岡本光央, 吉岡裕典, 原田信介, 山崎 隆浩, 大野 隆央, 梅田享英. ドライ酸化とウェット酸化で成長させた(0001)4H-SiC MOSFETの電流検出型電子共鳴分光を用いた酸化膜の比較. 応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  6. 奈良 純, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 大野 隆央. SiC(0001)上のグラフェン成長の傾斜度依存性に関する理論的研究. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  7. 金子 智昭, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)/SiO2 界面での欠陥準位の分布の第一原理解析. 応用物理学会春季学術講演会. 2016
  8. 田島 暢夫, 山崎 隆浩, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. シリコンカーバイドの熱酸化に関する理論的研究：SiO2/SiC界面の化学種について. American Physical Society March Meeting. 2016
  9. 大野 隆央, 奈良 純, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 甲賀淳一朗. 低炭素社会実現のための密度汎関数法に基づいた第一原理分子動力学シミュレーション技術の 開発. 平成27年度地球シミュレータ利用報告会. 2016
2015
  1. 金子 智昭, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)/SiO2 界面欠陥準位の第一原理解析：欠陥構造の重要性. 先進パワー半導体分科会 第2回講演会. 2015
  2. 奈良 純, 山崎 隆浩, 甲賀信一郎, 宇田毅, 大野 隆央. 4H-SiC中の貫通螺旋転位は分裂しているか否か. 先進パワー半導体分科会 第２回講演会. 2015
  3. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. SiC熱酸化により生成するSiO2/SiC界面の化学種に関する理論的研究. 先進パワー半導体分科会第二回講演会. 2015
  4. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 酸素分子による4H-SiC/SiO2界面酸化の第一原理動的シミュレーション. 先進パワー半導体分科会第2回講演会. 2015
  5. 高本聡, 山崎 隆浩, 大野 隆央, 金田千穂子, 泉聡志, 酒井信介. Si/SiO2界面の酸化を表現する電荷移動型原子間ポテンシャル. 計算力学講演会. 2015
  6. YAMASAKI, Takahiro. 4H-SiC Surface Structures and Oxidation Mechanism Revealed by Using First-Principles and Classical Molecular Dynamics Simulations. ICSCRM-2015. 2015
  7. 金子 智昭, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 大野 隆央. 様々な結晶多形の SiC 表面での pi-結合鎖模型の安定性. 日本物理学会 2015秋季大会. 2015
  8. 山崎 隆浩, 小野祐己, 奈良 純, 大野 隆央. 第一原理シミュレーションに基づいたSiC表面上のSi熱脱離グラフェン成長機構. 応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  9. 高本聡, 山崎 隆浩, 大野 隆央, 金田千穂子, 泉聡志, 酒井信介. 電荷移動型分子動力学法によるSi/SiO2界面酸化シミュレーション. 応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  10. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達夫, 加藤弘一, 大野 隆央. シリコン・カーバイド熱酸化プロセスに関する第一原理的研究. 応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  11. 金子 智昭, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 大野 隆央. 4H-SiC 表面のπ-結合鎖模型の安定性についての第一原理解析 . 第62回応用物理学会春期学術講演会. 2015
  12. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 西川宜孝, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC酸化の第一原理／古典的分子動力学シミュレーション. 応用物理学会春季学術講演会. 2015
  13. 森山拓洋, 山崎 隆浩, 大野 隆央, 岸田悟, 木下健太郎. 抵抗変化メモリ(ReRAM)の導電性パス生成機構の検討〜 NiOの様々な面方位の第一原理電子状態解析 〜. 応用物理学会春季学術講演会. 2015
  14. 田島 暢夫, 金子 智昭, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央. 次世代デバイス材用の第一原理シミュレーション. 文部科学省HPCI戦略プログラム分野4統合ワークショップ. 2015
  15. 小野祐己, 山崎 隆浩, 大野 隆央. ステップ状SiC表面からのSi熱脱離によるグラフェン初期成長の第一原理シミュレーション. APS March Meeting 2015. 2015
2014
  1. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 小山洋, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 酸素分子による4H-SiC表面酸化の動的シミュレーションおよび第一原理解析. 先進パワー半導体分科会 第１回講演会. 2014
  2. 山崎 隆浩, 加藤弘一, 宇田毅, 大野 隆央. Si(110)-(16×2)表面上の五員環対の起源. The 7th International Symposium on Surface Science (ISSS7). 2014
  3. 山崎 隆浩. PHASEシステムの概要・機能の紹介および開発状況. NIMS ナノシミュレーション ワークショップ 2014. 2014
  4. 山崎 隆浩. パワーデバイス半導体基板SiCの酸化反応. NIMS ナノシミュレーション ワークショップ 2014. 2014
  5. 木下健太郎, 山崎 隆浩, 森山拓洋, 大野 隆央, 岸田悟. 第一原理分子動力学法に基づく導電性ブリッジ形成シナリオの検討. 第７５回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  6. 山崎 隆浩, 小山洋, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)表面酸化過程の動的シミュレーションおよび第一原理解析. 第７５回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  7. 小野祐己, 山崎 隆浩, 大野 隆央. SiCステップ表面上のSi熱脱離グラフェン成長の第一原理シミュレーション. 第７５回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  8. 木下健太郎, 山崎 隆浩, 由良翔, 大野 隆央, 岸田悟. 第一原理計算を用いた抵抗変化メモリ(CB-RAM)の金属拡散機構の解明. CIMTEC 2014. 2014
  9. 高橋憲彦, 山崎 隆浩, 金田千穂子. Si(100)/SiO2界面酸化の分子動力学シミュレーション：Si関連分子種のSiO2および基板への放出と取り込み. E-MRS 2014 Spring Meeting. 2014
  10. 山崎 隆浩, 大野 隆央. 第一原理計算に基づいた抵抗変化メモリのスイッチング機構. 日本応用物理学会2014年春季年会. 2014
  11. 小山 洋, 山崎 隆浩, 奈良 純, 清水 達雄, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)Si 面及び(000-1)C 面、 それぞれの酸化反応の動的シミュレーション. 日本応用物理学会2014年春季年会. 2014
  12. 山崎 隆浩. 平面波基底第一原理分子動力学シミュレータ“PHASE”の並列化手法と実証計算. 超並列化技術国際WS/International Workshop on Massively Parallel . 2014
  13. 小山 洋, 山崎 隆浩, 奈良 純, 清水 達雄, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)面の酸化過程の動的シミュレーション：Si面とC面. 第19回ゲートスタック研究会. 2014
  14. 山崎 隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一郎, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. 4H-SiC中の貫通螺旋転位の様々な構造. 第１９回ゲートスタック研究会. 2014
2013
  1. 小山 洋, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)及び(000-1)表面の酸化反応の動的シミュレーション. SiC及び関連半導体研究 第22回講演会. 2013
  2. 山崎 隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一郎, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. 4H-SiC中の貫通螺旋転位の構造と電子状態. SiC及び関連半導体研究 第22回講演会. 2013
  3. 山崎 隆浩, 加藤弘一, 宇田毅, 大野 隆央. Si(110)-(16x2)表面五員環構造の起源. 日本物理学会　2013秋季大会. 2013
  4. 山崎 隆浩, 小山 洋, 奈良 純, 甲賀淳一朗, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. 4H-SiC Screw Dislocations and Their Electronic Structures. SSDM 2013. 2013
  5. 由良翔, 山崎 隆浩, 中田健吾, 石井晃, 岸田悟, 木下健太郎. 第一原理分子動力学法を用いたConducting-Bridge Memoryにおける微視的抵抗スイッチング機構の解明. 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  6. 山崎 隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一朗, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. Planewave Based First-Principles Calculations on the 83,000 Nodes K-Computer Applied to SiC Screw Dislocations. 2013 JSAP-MRS Joint Symposia. 2013
  7. 山崎 隆浩, 加藤弘一, 宇田毅, 大野 隆央. Si(110)-(16x2)のさまざまな安定表面構造. 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  8. 山崎 隆浩. Si(110)表面の五員環構造の起源について. NIMSナノシミュレーションワークショップ2013. 2013
  9. 山崎 隆浩. 第一原理電子状態プログラムPHASEの使用方法. PHASE利用者セミナー. 2013
  10. 山崎 隆浩. PHASE利用者セミナー. PHASE利用者セミナー. 2013

その他の文献 TSV

2014
  1. 森山拓洋, 山崎 隆浩, 大野 隆央, 岸田悟, 木下健太郎. 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 〜第一原理分子動力学法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析〜. 電子情報通信学会技術研究報告　IEICE Technical Report . (2014) 135-138

特許 TSV

登録特許
  1. 特許第7072148号 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2022)
  2. 特許第7005847号 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2022)
  3. 特許第6667809号 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2020)
公開特許出願
  1. No: US2017345657 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2017)
外国特許

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