- 退職
- 2019年9月退職
研究内容
- Keywords
Magnetic materials, Nd-Fe-B, Films, STEM, Atom Probe
出版物原則として、2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- S. Kobayashi, D. Ogawa, X.D. Xu, Y.K. Takahashi, A. Martin-Cid, K. Ishigami, Y. Kotani, M. Suzuki, T. Yoshioka, H. Tsuchiura, H. Sepehri-Amin, T. Ohkubo, K. Hono, S. Hirosawa, T. Nakamura, S. Kobayashi, A. Martin-Cid, K. Ishigami, Y. Kotani, M. Suzuki, T. Yoshioka, H. Tsuchiura, T. Nakamura. Multimodal analysis of Zr substitution effects on magnetic and crystallographic properties in (Sm1−Zr )(Fe0.8Co0.2)12 compounds with ThMn12 structure. Acta Materialia. 242 (2023) 118454 10.1016/j.actamat.2022.118454
- Z.X. Chen, Y. Sakuraba, K. Masuda, X.D. Xu, L.S.R. Kumara, H. Tajiri, Y. Kotani, V. Kushwaha, A. Perumal, K. Hono, L.S.R. Kumara, H. Tajiri, Y. Kotani, A. Perumal. Microstructure and atomic order analyses in CoFeCrAl Heusler alloy thin films: Interpretation of spin gapless semiconductor-like transport properties. Acta Materialia. 232 (2022) 117958 10.1016/j.actamat.2022.117958
- D. Ogawa, T. Yoshioka, X.D. Xu, Y.K. Takahashi, H. Tsuchiura, T. Ohkubo, S. Hirosawa, K. Hono. Magnetic anisotropy constants of ThMn12-type Sm(Fe1–Co )12 compounds and their temperature dependence. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 497 (2020) 165965 10.1016/j.jmmm.2019.165965
口頭発表
- 市川 心人, 中田 勝之, 徐 先東, 介川 裕章, 大久保 忠勝, 宝野 和博, 三谷 誠司. 反応性スパッタ法による高品位MgAl2O4バリア強磁性トンネル接合. 第43回日本磁気学会学術講演会. 2019
- Katsuyuki Nakada, Shinto Ichikawa, SUKEGAWA, Hiroaki, XU, Xiandong, OHKUBO, Tadakatsu, HONO, Kazuhiro, MITANI, Seiji. Reactive Sputtered Spinel MgAl2O4 Tunnel Barrier with Excellent Bias Voltage Dependence. The 30th Magnetic Recording Conference (TMRC 2019). 2019
- XU, Xiandong, CHEN, Zixi, WANG, Jian, H. Tajiri, SAKURABA, Yuya, MASUDA, Keisuke, NAKATANI, Tomoya, L.S.R. Kumara, アラガサミー ペルーマル, ZHOU, Weinan, HONO, Kazuhiro, MIURA, Yoshio, OHKUBO, Tadakatsu. Microstructure, phase stability, magnetic and transport properties of a Mn2CoAl Heusler compound. 2019年春期講演大会. 2019
特許
- No: WO2018179961 磁気素子、磁気記憶装置及び磁気センサ (2018)
- No: WO2018230466 強磁性トンネル接合体、それを用いたスピントロニクスデバイス、及び強磁性トンネル接合体の製造方法 (2018)
- No: US2021036217 磁気素子、磁気記憶装置及び磁気センサ (2021)