プラズマ援用ALDを用いて、リチウム（Li）およびマグネシウム固体電解質の成膜に成功した。良好なステップカバレッジを有し、ALD膜としては世界最高水準のイオン伝導度が得られた。多元化プロセスも開発しており、今後更なる高伝導度化と低温成膜を目指す。Liイオンやプロトン伝導体を用いたイオンゲート型トランジスタを開発した。ゲート電圧パルス印加によりチャネルコンダクタンスはアナログ的に変化し、シナプスの短期および長期可塑性を再現する。このような素子は人工ニューラルネットワークの基本単位となる。同じ伝導体を用いて１次元並列チャネル素子を作製し、感覚系ニューロンに特有な側方抑制の模倣にも成功した。この特性を利用して、網膜の信号処理の一つである画像のエッジ検出を材料特性だけで行えることを実証した。