publication_type	publication_year	number	author	title	doi	reported_at
Proceeding	2019	1	並木 航, 土屋 敬志, 髙栁 真, T. Higuchi, 寺部 一弥			2024-04-20 16:09:36 +0900
Proceeding	2019	2	西岡 大貴, 土屋 敬志, T. Higuchi, 寺部 一弥			2024-04-20 16:09:36 +0900
Proceeding	2019	3	江藤 大貴, 土屋 敬志, 北川 勇気, 髙栁 真, 鶴岡 徹, T. Higuchi, 寺部 一弥			2024-04-20 16:09:36 +0900
Proceeding	2018	1	TAKAYANAGI, Makoto, TSUCHIYA, Takashi, NAMIKI, Wataru, Tohru Higuchi, TERABE, Kazuya	SrVO3を用いる酸化還元トランジスタの動作の挿入カチオン依存性		2024-04-20 16:09:36 +0900
Proceeding	2017	1	Kazuya Terabe, Takashi Tsuchiya, Tohru Tsuruoka, Song-Ju Kim, Masakazu Aono	Current progress of solid state ionics on information and communication device technology		2024-04-20 16:09:36 +0900
Proceeding	2017	2	Kazuya Terabe, Takashi Tsuchiya, Tohru Tsuruoka, Song-Ju Kim, Masakazu Aono	Current progress of solid state ionics on information and communication device technology	https://doi.org/10.23919/iwjt.2017.7966508	2024-04-20 16:09:36 +0900
Proceeding	2017	3	ジャヤバラン マニカンダン, 髙栁 真, 川村 欣也, T. Higuchi, 寺部 一弥, R. Jayabel, 土屋 敬志			2024-04-20 16:09:36 +0900
Proceeding	2011	1	TSURUOKA, Tohru, HASEGAWA, Tsuyoshi, TERABE, Kazuya, AONO, Masakazu	抵抗変化メモリ（ReRAM）の現状と展望：絶縁性ナノ薄膜型原子スイッチを中心として		2024-04-20 16:09:36 +0900
Proceeding	2009	1	WU, Shouming, TSURUOKA, Tohru, TERABE, Kazuya, HASEGAWA, Tsuyoshi, HILL, Jonathan, ARIGA, Katsuhiko, AONO, Masakazu			2024-04-20 16:09:36 +0900
Proceeding	2007	1	LIU, Xiaoyan, TERABE, Kazuya, KITAMURA, Kenji	Stability of Engineered Domains in Ferroelectric LiNbO3 and LiTaO3 Crystals		2024-04-20 16:09:36 +0900
Proceeding	2006	1	LI, Xijun, TERABE, Kazuya, HATANO, Hideki, KITAMURA, Kenji	収束電子ビームによるLiNbO3およびLiTaO3のドメインパターニング		2024-04-20 16:09:36 +0900
Proceeding	2005	1	TERABE, Kazuya, 劉暁燕, LI, Xijun, NAKAMURA, Masaru, TAKEKAWA, Shunji, KITAMURA, Kenji			2024-04-20 16:09:36 +0900
Proceeding	2005	2	TERABE, Kazuya, 劉暁燕, LI, Xijun, KITAMURA, Kenji	新規デバイスのための強誘電体ドメインアーキテクチャー		2024-04-20 16:09:36 +0900