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patent	2021008381	カルシウム、スズ、窒素からなる化合物を含む半導体材料及びそれを用いた顔料	2021	2024-04-19 07:57:52 +0900
patent	2021008380	マグネシウム、スズ、窒素からなる化合物を含む半導体材料及びそれを用いた顔料	2021	2024-04-19 07:57:52 +0900
patent	2019125771	ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法	2019	2024-04-19 07:57:52 +0900
patent	2019064885	窒化レニウムを含有する硬質材料、その製造方法およびそれを用いた切削工具	2019	2024-04-19 07:57:52 +0900
patent	2019131442	立方晶系または六方晶系窒化ホウ素を製造する方法	2019	2024-04-19 07:57:52 +0900
patent	CN109803923, US20190256367, WO2018074009, CNN109803923, US20220204353	アンモニアを合成する方法、および、その装置	2019	2024-04-19 07:57:52 +0900
patent	WO2019077820	ジルコニウムの窒化物を製造する方法	2019	2024-04-19 07:57:52 +0900
patent	2016155699	Ｚｎ原子とＳｎ原子とＮ原子を含むβ－ＮａＦｅＯ２型構造の高結晶性化合物及びその製法、並びにその用途	2016	2024-04-19 07:57:52 +0900
patent	2016094304	シリカガラスの製造方法	2016	2024-04-19 07:57:52 +0900
patent	2016023104	α－ＰｂＯ２型結晶ＴｉＯ２微粒子の製造方法	2016	2024-04-19 07:57:52 +0900
patent	2016044113	高圧相ＷＣ型ＴａＮ焼結体の製造方法	2016	2024-04-19 07:57:52 +0900
patent	2015086086	六方晶窒化タングステン系焼結体の製造方法	2015	2024-04-19 07:57:52 +0900
patent	US20150315023A, EP2907789, USS20150315023A, 2907789	六方晶窒化タングステンの合成方法及び六方晶窒化タングステン	2015	2024-04-19 07:57:52 +0900
patent	2014152081	六方晶窒化タングステンの合成方法	2014	2024-04-19 07:57:52 +0900
patent	2013018688	高窒素含有遷移金属窒化物の製造方法及び高窒素含有遷移金属窒化物	2013	2024-04-19 07:57:52 +0900
patent	US20100120187, WO2008146865	紫外線発光六方晶窒化ホウ素結晶体の製造方法	2010	2024-04-19 07:57:52 +0900
patent	2009214213	切削工具とこれを用いた切削方法	2009	2024-04-19 07:57:52 +0900
patent	US20090078851, USS20090078851	遠紫外高輝度発光する高純度六方晶窒化ホウ素単結晶粉末とその製造方法	2009	2024-04-19 07:57:52 +0900
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patent	2007070148	高純度立方晶窒化ホウ素焼結体の製造法	2007	2024-04-19 07:57:52 +0900
patent	US20060185577A1, EP1686202	遠紫外高輝度発光する高純度六方晶窒化ホウ素単結晶とその製造方法ならびに前記単結晶からなる遠紫外高輝度発光素子とこの素子を使用した固体レーザ、および固体発光装置	2006	2024-04-19 07:57:52 +0900
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