これまで我々に実績がある「透過型」強磁場テラヘルツ分光測定は半導体や薄膜試料などの研究に有効であったが、近年注目を集めているトポロジカル物質などの量子機能材料の研究には適していなかった。そのため、新たに図1に示す「反射型」強磁場テラヘルツ分光装置を開発した。検出光はライトパイプにより磁場中心まで導かれ、放物面集光ミラーを用いて試料面に照射される。現在は開発された「反射型」強磁場テラヘルツ分光装置を用いて、トポロジカル関連物質であるビスマス-アンチモン合金のサイクロトロン共鳴などの磁気光学効果に関して研究を行っている。図2にビスマスのBinary軸方向に磁場を印加(B // Binary)した場合の磁場中反射スペクトルを示す。反射スペクトルはゼロ磁場で規格化されている。磁場と共にエネルギーシフトする複数のブランチ(A, B, C, D, E)はランダウ準位間光学遷移に依るものである。B // Bisectrix、およびB // Trigonalにおいても同様に複数のランダウ準位間遷移が観測された。各ブランチの起源に関しては、光学遷移の選択則およびランダウ準位理論計算との比較により同定され、その磁場依存性などを解析することでバンドギャップやキャリアの有効質量などの物性情報を求めた。同様の測定を組成の異なるビスマス-アンチモン合金にも行うことで同物質群の物性情報を明らかにしていくことを目指している。