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patent	2024089708	磁性積層膜、磁気メモリ素子、及び磁気メモリ	2024	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	US20230009284	磁気抵抗効果素子	2023	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	EP3640942, US2020044144, WO2018230466, 3640942	強磁性トンネル接合体、それを用いたスピントロニクスデバイス、及び強磁性トンネル接合体の製造方法	2020	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	CN110165046, US2019259937	磁気抵抗効果素子及びその製造方法	2019	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	2019145787	磁気抵抗効果素子及びその製造方法	2019	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	EP3683851, US2020357985, WO2019049740, 3683851	垂直磁化膜の前駆体構造、垂直磁化膜構造、およびその製造方法、これらを用いた垂直磁化型トンネル磁気抵抗接合膜およびその製造方法、ならびにこれらを用いた垂直磁化型トンネル磁気抵抗接合素子	2019	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	EP3413363, US210123991, 3413363	強磁性トンネル接合体、これを用いた磁気抵抗効果素子及びスピントロニクスデバイス並びに強磁性トンネル接合体の製造方法	2018	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	2018056272	磁気抵抗素子及び磁気記憶装置	2018	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	US2018090671	強磁性トンネル接合体とそれを用いたスピントロニクスデバイス	2018	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	2018129423	強磁性トンネル接合体の製造方法及び強磁性トンネル接合体	2018	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	2018142652	スピネルフェライトの製造方法および積層構造体	2018	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	2017041606	垂直磁化膜構造およびその製造方法、それを用いた磁気抵抗素子およびその製造方法、ならびにこれらを用いたスピントロニクスデバイス	2017	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	2017183355	強磁性トンネル接合体の製造方法、強磁性トンネル接合体及び磁気抵抗効果素子	2017	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	US2017140784, US2019172486, WO2015141794, 20170008201, KR20170008201	垂直磁化膜用下地、垂直磁化膜構造、垂直ＭＴＪ素子及びこれらを用いた垂直磁気記録媒体	2017	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	US2017330668, 20170126805, KR20170126805	垂直磁化膜と垂直磁化膜構造並びに磁気抵抗素子および垂直磁気記録媒体	2017	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	US2017229643, US20180226573	単結晶磁気抵抗素子、その製造方法及びその使用方法	2017	2024-10-10 09:39:55 +0900
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patent	2017103419	単結晶磁気抵抗素子、その製造方法及びその使用方法	2017	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	2017204542	垂直磁化膜と垂直磁化膜構造並びに磁気抵抗素子および垂直磁気記録媒体	2017	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	2015090870	強磁性トンネル接合体の製造方法	2015	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	2013175615	強磁性トンネル接合体とそれを用いた磁気抵抗効果素子及びスピントロニクスデバイス	2013	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	US20130221461	強磁性トンネル接合体とそれを用いた磁気抵抗効果素子並びにスピントロニクスデバイス	2013	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	EP2434556, US10F024PCTUS0	強磁性トンネル接合体およびそれを用いた磁気抵抗効果素子	2012	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	US20120091548A1, USS20120091548A1	強磁性トンネル接合とそれを用いた磁気抵抗効果素子並びにスピントロニクスデバイス	2012	2024-10-10 09:39:55 +0900
patent	2010056288	磁性薄膜素子	2010	2024-10-10 09:39:55 +0900