SAMURAI - NIMS Researchers Database

HOME > Profile > SASAMA, Yosuke

SASAMA, Yosuke

SASAMA, Yosuke (笹間 陽介) 0000-0002-8358-6101

Address
305-0044 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki JAPAN [Access]

[Research papers] | [Books] | [Proceedings] | [Presentations] | [Misc] | [Published patent applications]

Research papers TSV

2024
  1. Taisuke Kageura, Yosuke Sasama, Tokuyuki Teraji, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Keisuke Yamada, Kosuke Kimura, Shinobu Onoda, Yamaguchi Takahide. Spin-State Control of Shallow Single NV Centers in Hydrogen-Terminated Diamond. ACS Applied Materials & Interfaces. 16 [10] (2024) 13212-13218 10.1021/acsami.3c17544
2022
  1. Taisuke Kageura, Yosuke Sasama, Chikara Shinei, Tokuyuki Teraji, Keisuke Yamada, Shinobu Onoda, Yamaguchi Takahide. Charge stability of shallow single nitrogen-vacancy centers in lightly boron-doped diamond. Carbon. 192 (2022) 473-481 10.1016/j.carbon.2022.01.027 Open Access
  2. Yosuke Sasama, Taisuke Kageura, Masataka Imura, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Takashi Uchihashi, Yamaguchi Takahide. High-mobility p-channel wide-bandgap transistors based on hydrogen-terminated diamond/hexagonal boron nitride heterostructures. Nature Electronics. 5 [1] (2022) 37-44 10.1038/s41928-021-00689-4
2020
  1. Yosuke Sasama, Taisuke Kageura, Katsuyoshi Komatsu, Satoshi Moriyama, Jun-ichi Inoue, Masataka Imura, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Takashi Uchihashi, Yamaguchi Takahide. Charge-carrier mobility in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors. Journal of Applied Physics. 127 [18] (2020) 185707 10.1063/5.0001868
2019
  1. Taisuke Kageura, Masakuni Hideko, Ikuto Tsuyuzaki, Aoi Morishita, Akihiro Kawano, Yosuke Sasama, Takahide Yamaguchi, Yoshihiko Takano, Minoru Tachiki, Shuuichi Ooi, Kazuto Hirata, Shunichi Arisawa, Hiroshi Kawarada. Single-crystalline boron-doped diamond superconducting quantum interference devices with regrowth-induced step edge structure. Scientific Reports. 9 [1] (2019) 10.1038/s41598-019-51596-w Open Access
  2. Yosuke Sasama, Katsuyoshi Komatsu, Satoshi Moriyama, Masataka Imura, Shiori Sugiura, Taichi Terashima, Shinya Uji, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Takashi Uchihashi, Yamaguchi Takahide. Quantum oscillations in diamond field-effect transistors with a h -BN gate dielectric. Physical Review Materials. 3 [12] (2019) 121601 10.1103/physrevmaterials.3.121601
2018
  1. Yosuke Sasama, Katsuyoshi Komatsu, Satoshi Moriyama, Masataka Imura, Tokuyuki Teraji, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Takashi Uchihashi, Yamaguchi Takahide. High-mobility diamond field effect transistor with a monocrystalline h-BN gate dielectric. APL Materials. 6 [11] (2018) 111105 10.1063/1.5055812 Open Access
  2. Yamaguchi Takahide, Yosuke Sasama, Hiroyuki Takeya, Yoshihiko Takano, Taisuke Kageura, Hiroshi Kawarada. Ionic-liquid-gating setup for stable measurements and reduced electronic inhomogeneity at low temperatures. Review of Scientific Instruments. 89 [10] (2018) 103903 10.1063/1.5041936
2017
  1. Yosuke Sasama, Takahide Yamaguchi, Masashi Tanaka, Hiroyuki Takeya, Yoshihiko Takano. Low-Temperature Carrier Transport in Ionic-Liquid-Gated Hydrogen-Terminated Silicon. Journal of the Physical Society of Japan. 86 [11] (2017) 114703 10.7566/jpsj.86.114703
  2. 露崎 活人, 蔭浦泰資, 日出幸 昌邦, 川原田　洋, 笹間 陽介, 山口 尚秀, 高野 義彦, 立木 実, 大井 修一, 平田 和人, 有沢 俊一. ボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計の作製と特性評価. NEW DIAMOND. 33 [3] (2017) 13-18
  3. Yosuke Sasama, Takahide Yamaguchi, Masashi Tanaka, Hiroyuki Takeya, Yoshihiko Takano. Transport Properties of Hydrogen-Terminated Silicon Surface Controlled by Ionic-Liquid Gating. Journal of the Physical Society of Japan. 86 [1] (2017) 014703 10.7566/jpsj.86.014703
2016
  1. Yamaguchi Takahide, Yosuke Sasama, Masashi Tanaka, Hiroyuki Takeya, Yoshihiko Takano, Taisuke Kageura, Hiroshi Kawarada. Spin-induced anomalous magnetoresistance at the (100) surface of hydrogen-terminated diamond. Physical Review B. 94 [16] (2016) 161301 10.1103/physrevb.94.161301
  2. R. Matsumoto, Y. Sasama, M. Fujioka, T. Irifune, M. Tanaka, T. Yamaguchi, H. Takeya, Y. Takano. Note: Novel diamond anvil cell for electrical measurements using boron-doped metallic diamond electrodes. Review of Scientific Instruments. 87 [7] (2016) 076103 10.1063/1.4959154

Books TSV

Proceedings TSV

Presentations TSV

2024
  1. 笹間 陽介, 岩崎 拓哉, 井村 将隆, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 山口 尚秀. CVD成膜したダイヤモンド上に作製したh-BNゲート絶縁体を用いた電界効果トランジスタ. 2024年第71回応用物理学会春季学術講演会. 2024
2023
  1. 䕃浦泰資, 笹間 陽介, 山田圭介, 木村晃介, 小野田忍, 山口 尚秀. NV センターを利用した水素終端ダイヤモンドにおける表面トランスファードーピング機構の解析. 第３７回ダイヤモンドシンポジウム. 2023
  2. 笹間 陽介, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 山口 尚秀. 自己整合ゲート電極を有する水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタ. 第37回ダイヤモンドシンポジウム. 2023
  3. SASAMA, Yosuke. High-mobility hydrogen-terminated diamond transistors with a reduced surface acceptor density. 2023 Taiwan-Japan Workshop on Crystal Growth, Analysis and Calculation (TJ-CGAC) . 2023 Invited
  4. 蔭浦 泰資, 笹間 陽介, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 山田 圭介, 小野田 忍, 山口 尚秀. h-BN被覆による水素終端下・単一ダイヤモンドNV中心のスピン操作. 第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
2022
  1. YAMAGUCHI, Takahide, SASAMA, Yosuke, KAGEURA, Taisuke, IMURA, Masataka, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi, UCHIHASHI, Takashi. Diamond transistor with a hexagonal boron nitride gate insulator. WPI-MANA INTERNATIONAL SYMPOSIUM 2022. 2022
  2. SASAMA, Yosuke, KAGEURA, Taisuke, IMURA, Masataka, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi, UCHIHASHI, Takashi, YAMAGUCHI, Takahide. High-mobility transistors based on hydrogen-terminated diamond/hexagonal boron nitride heterostructures. 32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials. 2022 Invited
  3. SASAMA, Yosuke, KAGEURA, Taisuke, IMURA, Masataka, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi, UCHIHASHI, Takashi, YAMAGUCHI, Takahide. High-Mobility Normally-Off Transistors Based on Hydrogen-Terminated Diamond/h-BN Heterostructures. 15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2022 (NDNC2022). 2022 Invited
  4. 笹間 陽介, 蔭浦 泰資, 井村 将隆, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. h-BNゲート絶縁体を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンドFET. 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会. 2022 Invited
  5. 蔭浦 泰資, 笹間 陽介, 眞榮 力, 寺地 徳之, 山田 圭介, 小野田 忍, 山口 尚秀. 低濃度ホウ素ドープダイヤモンド中における単一NV中心の電荷安定性　. 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会. 2022
  6. 笹間 陽介, 山口 尚秀. ダイヤモンド高移動度トランジスタ. ＳＡＴテクノロジー・ショーケース ２０２２/https://www.science-academy.jp/showcase/21/index.html. 2022
2021
  1. 笹間 陽介, 蔭浦 泰資, 井村 将隆, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. h-BNヘテロ構造を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンドトランジスタ. 第82回応用物理学会秋季学術講演会. 2021
  2. 笹間 陽介, 蔭浦 泰資, 井村 将隆, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. High-Mobility Normally-Off Hydrogen-Terminated Diamond Field-Effect Transistors with a h-BN Gate Insulator. 14th International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2020/2021 / https://www.ndnc2020.org/index.html. 2021
  3. 蔭浦 泰資, 笹間 陽介, 眞榮 力, 寺地 徳之, 山田 圭介, 小野田 忍, 山口 尚秀. Charge Stability of Single Shallow NV Centers in High Purity Diamond. 14th International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2020/2021. 2021
  4. 山口 尚秀, 笹間 陽介, 蔭浦 泰資, 井村 将隆, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆. Modeling of Electrical Characteristics in Hydrogen-Terminated Diamond Field-Effect Transistors. 14th International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2020/2021. 2021
  5. 蔭浦 泰資, 笹間 陽介, 山田圭介, 小野田忍, 寺地 徳之, 山口 尚秀. Creation of Stable Quantum Sensors Based on Diamond Color Centers. MANA INTERNATIONAL SYMPOSIUM 2021 jointly with ICYS. 2021
  6. 笹間 陽介, 蔭浦 泰資, 小松 克伊, 森山 悟士, 井上 純一, 井村 将隆, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. Mobility in h-BN gated diamond field-effect transistors. MANA INTERNATIONAL SYMPOSIUM 2021 jointly with ICYS. 2021
  7. 笹間 陽介, 蔭浦 泰資, 小松 克伊, 森山 悟士, 井上 純一, 井村 将隆, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. 水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタの移動度の解析. 第34回ダイヤモンドシンポジウム/https://www.jndf.org/katsudo/symposium/sympo-34th.html. 2021
2019
  1. SASAMA, Yosuke, 小松 克伊, MORIYAMA, Satoshi, IMURA, Masataka, TERAJI, Tokuyuki, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi, UCHIHASHI, Takashi, YAMAGUCHI, Takahide. Charge Carrier Transport at an h-BN/Diamond Interface. MANA International Symposium 2019. 2019
2018
  1. 笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. h-BN/ダイヤモンドヘテロ構造を用いた高移動度トランジスタ. 第３２回ダイヤモンドシンポジウム. 2018
  2. 笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. 単結晶h-BNを用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  3. 笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. h-BNを用いたダイヤモンド電界効果トランジスタの輸送特性. 日本物理学会2018年秋季大会. 2018
  4. 笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 宇治 進也, 内橋 隆, 山口 尚秀. Quantum transport in an h-BN / diamond heterostructure. 29th International Conference on Diamond and Carbon Materials. 2018
  5. 笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. High mobility diamond field effect transistor with a monocrystalline h-BN gate dielectric. 29th International Conference on Diamond and Carbon Materials. 2018
  6. 笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. High Mobility Diamond Field-Effect Transistor. MANA International Symposium 2018. 2018
2017
  1. 笹間 陽介, 山口 尚秀, 田中 将嗣, 竹屋 浩幸, 高野 義彦. Low-Temperature Carrier Transport at the Ionic-Liquid-Gated Surface of Silicon. Tsukuba Global Science Week (TGSW) 2017. 2017
  2. 天野 勝太郎, 蔭浦泰資, 日出幸 昌邦, 露崎 活人, 大里 啓孝, 津谷 大樹, 笹間 陽介, 山口 尚秀, 高野 義彦, 立木 実, 大井 修一, 平田 和人, 有沢 俊一, 川原田　洋. 不連続(111)面を利用した超伝導ボロンドープ単結晶ダイヤモンドジョセフソン接合. 第78回 応用物理学会 秋季学術講演会. 2017
  3. 山口 尚秀, 笹間 陽介, 田中 将嗣, 竹屋 浩幸, 高野 義彦, 蔭浦 泰資, 川原田洋. Quantum transport of electric field-induced carriers at the surface of diamond. 28th International Conference on Low Temperature Physics. 2017
  4. 山口 尚秀, 笹間 陽介, 竹屋 浩幸, 高野 義彦, 蔭浦 泰資, 川原田洋. 水素終端ダイヤモンド(001)表面の特異な低温磁気抵抗. 日本物理学会第72回年次大会. 2017
  5. 笹間 陽介, 山口 尚秀, 松本 凌, 田中 将嗣, 鈴木 皓司, 原 裕, 山下 愛智, 竹屋 浩幸, 高野 義彦. イオン液体ゲートを用いて制御した水素終端シリコンの電気伝導特性. 日本物理学会　第72回年次大会(2017年). 2017
  6. 露崎 活人, 蔭浦泰資, 日出幸 昌邦, 大里 啓孝, 津谷 大樹, 笹間 陽介, 山口 尚秀, 高野 義彦, 立木 実, 大井 修一, 平田 和人, 有沢 俊一, 川原田　洋. 単結晶ダイヤモンド超伝導量子干渉計. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017 Invited
2016
  1. 蔭浦泰資, 柴田将暢, 笹間 陽介, 山口 尚秀, 高野 義彦, 川原田　洋. Lattice strain in superconducting boron-doped diamond . IWSRFM2016. 2016
  2. 松本 凌, 笹間 陽介, 山下 愛智, 田中 将嗣, 竹屋 浩幸, 高野 義彦. Novel Diamond Anvil Cell with B-doped Diamond Electrodes. IWSRFM2016. 2016
  3. 笹間 陽介, 山口 尚秀, 田中 将嗣, 竹屋 浩幸, 高野 義彦. Transport Properties of Hydrogen-Terminated Silicon Surface Controlled by Ionic-Liquid Gating. IWSRFM2016. 2016
  4. 日出幸 昌邦, 蔭浦泰資, 露崎 活人, 柴田将暢, 北林 祐哉, 笹間 陽介, 山口 尚秀, 高野 義彦, 立木 実, 大井 修一, 平田 和人, 有沢 俊一, 川原田　洋. Boron-doped diamond SQUID with regrowth-induced step edge structure Josephson junction. IWSRFM2016. 2016
  5. 松本 凌, 笹間 陽介, 田中 将嗣, 竹屋 浩幸, 高野 義彦. Novel Diamond Anvil Cell with B-doped Diamond Electrodes. ISS2016. 2016
  6. 山口 尚秀, 笹間 陽介, 田中 将嗣, 竹屋 浩幸, 高野 義彦, 蔭浦 泰資, 川原田洋. 水素終端ダイヤモンド表面の特異な磁気抵抗. 第30回ダイヤモンドシンポジウム. 2016
  7. 松本 凌, 笹間 陽介, 山下 愛智, 鈴木 皓司, 入舩徹男, 田中 将嗣, 竹屋 浩幸, 高野 義彦. ダイヤモンド電極導入型 DAC の開発と超伝導体の圧力下電気抵抗測定. 第57回高圧討論会. 2016
  8. 松本 凌, 笹間 陽介, 山下 愛智, 鈴木 皓司, 入舩徹男, 田中 将嗣, 竹屋 浩幸, 高野 義彦. 金属ダイヤモンド電極を用いた新しいDAC の開発. 第57回高圧討論会. 2016
  9. 露崎 活人, 蔭浦泰資, 日出幸 昌邦, 笹間 陽介, 山口 尚秀, 高野 義彦, 川原田　洋. 追成長を用いたステップエッジ構造ジョセフソン接合によるボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  10. 原 裕, 松本 凌, 田中 将嗣, 岩田 啓嗣, 小木曽 理, 笹間 陽介, 柳沢 佑典, 山下 愛智, 鈴木 皓司, 竹屋 浩幸, 高野 義彦. フラックス添加法による水銀系銅酸化物高温超伝導体HgBa2Can-1CunO2(n+1)+δの合成. 日本物理学会2016年秋季大会. 2016
  11. 松本 凌, 山下 愛智, 笹間 陽介, 鈴木 皓司, 入舩徹男, 田中 将嗣, 竹屋 浩幸, 高野 義彦. ダイヤモンド電極導入型DAC による超伝導体の高圧力下電気抵抗測定. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  12. 蔭浦泰資, 日出幸 昌邦, 柴田将暢, 笹間 陽介, 山口 尚秀, 高野 義彦, 川原田　洋. （111）超伝導ボロンドープダイヤモンド中の歪み層と緩和層. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  13. 山口 尚秀, 笹間 陽介, 竹屋 浩幸, 高野 義彦. 表面終端制御によるダイヤモンド深紫外発光ダイオード. 日本物理学会2016年秋季大会. 2016
  14. 松本 凌, 笹間 陽介, 入舩徹男, 田中 将嗣, 竹屋 浩幸, 高野 義彦. Novel Diamond Anvil Cell using Metallic Diamond Electrodes. HPSP17&WHS. 2016
  15. 山口 尚秀, 笹間 陽介, 竹屋 浩幸, 高野 義彦, 蔭浦 泰資, 川原田洋. Magneto-transport through surface conductive channel of hydrogenated diamond. The 10th International Conference on New Diamond and Nano Carbon. 2016 Invited
  16. 笹間 陽介, 山口 尚秀, 田中 将嗣, 鈴木 皓司, 原 裕, 山下 愛智, 竹屋 浩幸, 高野 義彦. イオン液体を用いたシリコンへの電界効果キャリア注入. 日本物理学会　第71回年次大会（2016年）. 2016
  17. 日出幸 昌邦, 蔭浦泰資, 柴田将暢, 北林 祐哉, 笹間 陽介, 山口 尚秀, 高野 義彦, 川原田　洋. ボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計の作製に向けたジョセフソン接合の直流、交流ジョセフソン効果の観測. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
  18. 松本 凌, 笹間 陽介, 藤岡 正弥, 入舩徹男, 田中 将嗣, 山口 尚秀, 竹屋 浩幸, 高野 義彦. 導電性ダイヤモンドの微細加工電極を用いた新しいDACの開発. 日本物理学会　第71回年次大会（2016年）. 2016
  19. 松本 凌, 笹間 陽介, 藤岡 正弥, 入舩徹男, 田中 将嗣, 山口 尚秀, 竹屋 浩幸, 高野 義彦. 金属ダイヤモンドを電極とした新しいDACによる30 GPaへの到達. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
  20. 笹間 陽介, 高野 義彦. イオン液体を用いたシリコンへの電界効果キャリア注入. Superconductivity Interdisciplinary Seminar 2016. 2016
2015
  1. 山口 尚秀, 笹間 陽介, 竹屋 浩幸, 高野 義彦, 柴田 将暢, 蔭浦 泰資, 川原田洋. 電界制御したダイヤモンド表面伝導の低温特性II. 日本物理学会2015年秋季大会. 2015
  2. 高野 義彦, 鈴木 皓司, 田中 将嗣, デンホーム サレーム ジェームス, 藤岡 正弥, 原 裕, 山下 愛智, 岩崎 秀, 岩田 啓嗣, 小木曽 理, 笹間 陽介, 松本 凌, 柳沢 佑典, 山口 尚秀, 竹屋 浩幸. EuFBiS2の圧力下絶縁体－金属転移と超伝導. 日本物理学会2015年秋季大会. 2015
  3. 松本 凌, 笹間 陽介, 藤岡 正弥, 山口 尚秀, 竹屋 浩幸, 高野 義彦. 金属ダイヤモンドを電極とした新しいDAC の開発. 第76回応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  4. 柳沢 佑典, 田中 将嗣, 鈴木 皓司, 山下 愛智, 原 裕, 岩田 啓嗣, 小木曽 理, 笹間 陽介, 松本 凌, 山口 尚秀, 竹屋 浩幸, 高野 義彦. 鉄系超伝導体KxFe2-ySe2の相分離におけるクエンチ効果. 第76回応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  5. 笹間 陽介, 山口 尚秀, 田中 将嗣, 藤岡 正弥, デンホーム サレーム ジェームス, 鈴木 皓司, 原 裕, 山木 拓馬, 山下 愛智, 竹屋 浩幸, 矢口　宏, 高野 義彦. イオン液体を用いたSiC への電界効果キャリア注入. 第70回年次大会（2015年） 日本物理学会. 2015

Misc TSV

2022
  1. 笹間 陽介, 山口 尚秀. h-BNゲート絶縁体を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ. New diamond. 38 [3] (2022) 20-25
2019
  1. 笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. hBNヘテロ界面を用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ. NEW DIAMOND. (2019) 9-15

Published patent applications TSV

  1. ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法 (2021)
  2. ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法 (2019)

▲ Go to the top of this page