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研究論文 TSV

2018
  1. M. Hiraishi, K. M. Kojima, I. Yamauchi, H. Okabe, S. Takeshita, A. Koda, R. Kadono, X. Zhang, S. Matsuishi, H. Hosono, K. Hirata, S. Otani, N. Ohashi. Electronic correlation in the quasi-two-dimensional electride Y2C. Physical Review B. 98 [4] (2018) 10.1103/physrevb.98.041104
2017
  1. Koji Horiba, Ryu Yukawa, Taichi Mitsuhashi, Miho Kitamura, Takeshi Inoshita, Noriaki Hamada, Shigeki Otani, Naoki Ohashi, Sachiko Maki, Jun-ichi Yamaura, Hideo Hosono, Youichi Murakami, Hiroshi Kumigashira. Semimetallic bands derived from interlayer electrons in the quasi-two-dimensional electride Y2C. Physical Review B. 96 [4] (2017) 10.1103/physrevb.96.045101
2015
  1. Takashi Aizawa, Shigeki Otani, Isao Ohkubo, Takao Mori. ZrC epitaxy on Si(111). Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 33 [6] (2015) 061512 10.1116/1.4930317
  2. T Aizawa, S Suehara, S Otani. Phonon dispersion of silicene on ZrB2(0 0 0 1). Journal of Physics: Condensed Matter. 27 [30] (2015) 305002 10.1088/0953-8984/27/30/305002
  3. Rie Horie, Fumihiko Matsui, Hiroshi Daimon, Masaru Takizawa, Hidetoshi Namba, Shigeki Otani, Takashi Aizawa. Atomic-Orbital Analysis of ZrB<sub>2 </sub>Valence-Band by Two-Dimensional Photoelectron Spectroscopy. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 13 [0] (2015) 324-328 10.1380/ejssnt.2015.324
  4. Rie Horie, Fumihiko Matsui, Naoyuki Maejima, Hirosuke Matsui, Kota Tanaka, Hiroshi Daimon, Tomohiro Matsushita, Shigeki Otani, Takashi Aizawa. Cubic Zirconia Crystalline Surface Oxide Epitaxial Formation on ZrB<sub>2</sub>(0001) Confirmed by Circularly-Polarized-Light Photoelectron Diffraction. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 13 [0] (2015) 111-114 10.1380/ejssnt.2015.111
2014
  1. Kedar Manandhar, Weronika Walkosz, Yuan Ren, Shigeki Otani, Peter Zapol, Michael Trenary. Structure and Reactivity of Molecularly Adsorbed Ammonia on the ZrB2(0001) Surface. The Journal of Physical Chemistry C. 118 [50] (2014) 29260-29269 10.1021/jp505406r
  2. Takashi Aizawa, Shigeru Suehara, Shigeki Otani. Silicene on Zirconium Carbide (111). The Journal of Physical Chemistry C. 118 [40] (2014) 23049-23057 10.1021/jp505602c
  3. 鴻野 健太郎, 有賀 寛子, 高草木 達, 大谷 茂樹, 朝倉 清高. STMによるNi<sub>2</sub>P(10-10)単結晶表面のNOとの反応性評価. 表面科学. 35 [8] (2014) 415-419 10.1380/jsssj.35.415
  4. Masaru Nakamura, Hiroaki Nakamura, Masataka Imura, Shigeki Otani, Kiyoshi Shimamura, Naoki Ohashi. SnS crystal grown using horizontal gradient freeze method and its electrical properties. Journal of Alloys and Compounds. 591 (2014) 326-328 10.1016/j.jallcom.2013.12.230
  5. Shigeki OTANI, Hiroyo SEGAWA, Naoki OHASHI. Floating zone growth of cerium tetra-boride crystals. Journal of the Ceramic Society of Japan. 122 [1423] (2014) 192-194 10.2109/jcersj2.122.192
2013
  1. Kedar Manandhar, Michael Trenary, Shigeki Otani, Peter Zapol. Dissociation of trimethylgallium on the ZrB2(0001) surface. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 31 [6] (2013) 061405 10.1116/1.4826881
  2. Kedar Manandhar, Weronika Walkosz, Michael Trenary, Shigeki Otani, Peter Zapol. Dissociative adsorption of ammonia on the ZrB2(0001) surface. Surface Science. 615 (2013) 110-118 10.1016/j.susc.2013.04.012
  3. Wataru Hayami, Ai Momozawa, Shigeki Otani. Effect of Defects in the Formation of AlB2-Type WB2 and MoB2. Inorganic Chemistry. 52 [13] (2013) 7573-7577 10.1021/ic400587j
  4. Eishiro Toyoda, Ryosuke Jinnouchi, Tetsu Ohsuna, Tatsuya Hatanaka, Takashi Aizawa, Shigeki Otani, Yoshiaki Kido, Yu Morimoto. Catalytic Activity of Pt/TaB2(0001) for the Oxygen Reduction Reaction. Angewandte Chemie International Edition. 52 [15] (2013) 4137-4140 10.1002/anie.201209413
  5. Shigeki OTANI, Naoki OHASHI. Preparation of Ni2P and Fe2P single crystals by the floating-zone method. Journal of the Ceramic Society of Japan. 121 [1412] (2013) 331-332 10.2109/jcersj2.121.331
2012
  1. Weronika Walkosz, Kedar Manandhar, Michael Trenary, Shigeki Otani, Peter Zapol. Dissociative adsorption of hydrogen on the ZrB2(0001) surface. Surface Science. 606 [23-24] (2012) 1808-1814 10.1016/j.susc.2012.07.019
  2. Genki Odahara, Hiroki Hibino, Nanao Nakayama, Tomoyuki Shimbata, Chuhei Oshima, Shigeki Otani, Masahiko Suzuki, Tsuneo Yasue, Takanori Koshikawa. Macroscopic Single-Domain Graphene Growth on Polycrystalline Nickel Surface. Applied Physics Express. 5 [3] (2012) 035501 10.1143/apex.5.035501
  3. Thomas Yorisaki, Aashani Tillekaratne, Yuan Ren, Yukihiro Moriya, Chuhei Oshima, Shigeki Otani, Michael Trenary. Adsorption and dissociation of water on LaB6(100) investigated by surface vibrational spectroscopy. Surface Science. 606 [3-4] (2012) 247-252 10.1016/j.susc.2011.09.025
2011
  1. Genki Odahara, Shigeki Otani, Chuhei Oshima, Masahiko Suzuki, Tsuneo Yasue, Takanori Koshikawa. Macroscopic single-domain graphene sheet on Ni(111). Surface and Interface Analysis. 43 [12] (2011) 1491-1493 10.1002/sia.3742
  2. Takashi Aizawa, Shigeki Otani. Adsorption of CO and O2 on W2C(0001). The Journal of Chemical Physics. 135 [14] (2011) 144704 10.1063/1.3650246
  3. Alvin B. Hernandez, Hiroko Ariga, Satoru Takakusagi, Kumiko Kinoshita, Shushi Suzuki, Shigeki Otani, S. Ted Oyama, Kiyotaka Asakura. Dynamical LEED analysis of Ni2P (0001)-1×1: Evidence for P-covered surface structure. Chemical Physics Letters. 513 [1-3] (2011) 48-52 10.1016/j.cplett.2011.07.055
  4. Takashi Aizawa, Shunichi Hishita, Takaho Tanaka, Shigeki Otani. Surface reconstruction of W2C(0001). Journal of Physics: Condensed Matter. 23 [30] (2011) 305007 10.1088/0953-8984/23/30/305007
  5. Wataru Hayami, Shigeki Otani. Structural Stability of Boron Clusters with Octahedral and Tetrahedral Symmetries. The Journal of Physical Chemistry A. 115 [29] (2011) 8204-8207 10.1021/jp204115x
  6. Genki Odahara, Shigeki Otani, Chuhei Oshima, Masahiko Suzuki, Tsuneo Yasue, Takanori Koshikawa. In-situ observation of graphene growth on Ni(111). Surface Science. 605 [11-12] (2011) 1095-1098 10.1016/j.susc.2011.03.011
2010
  1. Donghui Guo, Yuta Nakagawa, Hiroko Ariga, Shushi Suzuki, Kumiko Kinoshita, Takeshi Miyamoto, Satoru Takakusagi, Kiyotaka Asakura, Shigeki Otani, S.Ted Oyama. STM studies on the reconstruction of the Ni2P (101̅0) surface. Surface Science. 604 [17-18] (2010) 1347-1352 10.1016/j.susc.2010.03.024
  2. 枝元 一之, 猪股 裕幸, 安野 信行, 小澤 健一, 中川 雄太, 朝倉 清高, 大谷 茂樹. Ni2P(10-10)単結晶表面の角度分解・共鳴光電子分光. 表面科学. 31 [7] (2010) 324-330 10.1380/jsssj.31.324
  3. Thomas Yorisaki, Aashani Tillekaratne, Yukihiro Moriya, Chuhei Oshima, Shigeki Otani, Michael Trenary. Vibrational spectroscopy of oxygen on the (100) and (111) surfaces of lanthanum hexaboride. Surface Science. 604 [13-14] (2010) 1202-1207 10.1016/j.susc.2010.04.003
  4. K. Edamoto, H. Inomata, K. Ozawa, Y. Nakagawa, K. Asakura, S. Otani. Electronic structure of the surface: Angle-resolved photoemission study. Solid State Communications. 150 [25-26] (2010) 1120-1123 10.1016/j.ssc.2010.03.026
  5. Wataru Hayami, Shigeki Otani. First-principles study of the crystal and electronic structures of α-tetragonal boron. Journal of Solid State Chemistry. 183 [7] (2010) 1521-1528 10.1016/j.jssc.2010.04.036
  6. Norihiko L. Okamoto, Misato Kusakari, Katsushi Tanaka, Haruyuki Inui, Shigeki Otani. Anisotropic elastic constants and thermal expansivities in monocrystal CrB2, TiB2, and ZrB2. Acta Materialia. 58 [1] (2010) 76-84 10.1016/j.actamat.2009.08.058
2009
  1. Thomas Yorisaki, Aashani Tillekaratne, Qingfeng Ge, Chuhei Oshima, Shigeki Otani, Michael Trenary. Probing the properties of the (111) and (100) surfaces of LaB6 through infrared spectroscopy of adsorbed CO. Surface Science. 603 [19] (2009) 3011-3020 10.1016/j.susc.2009.08.005
  2. Genki Odahara, Tsuyoshi Ishikawa, Shigeki Otani, Chuhei Oshima. Self-Standing Graphene Sheets Prepared with Chemical Vapor Deposition and Chemical Etching. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 7 (2009) 837-840 10.1380/ejssnt.2009.837
  3. Wataru Hayami, Shigeki Otani. First-principles study of the electronic structures of α-rhombohedral boron codoped with lithium and oxygen. Journal of Solid State Chemistry. 182 [7] (2009) 1856-1860 10.1016/j.jssc.2009.04.027
  4. 大谷 茂樹. 浮遊帯域溶融法等. セラミックスの事典. (2009) 9999-9999
  5. S. Otani, T. Aizawa, N. Kieda. Solid solution ranges of zirconium diboride with other refractory diborides: HfB2, TiB2, TaB2, NbB2, VB2 and CrB2. Journal of Alloys and Compounds. 475 [1-2] (2009) 273-275 10.1016/j.jallcom.2008.08.023
  6. S. Otani, M.M. Korsukova, T. Aizawa. High-temperature hardness of ReB2 single crystals. Journal of Alloys and Compounds. 477 [1-2] (2009) L28-L29 10.1016/j.jallcom.2008.10.094
  7. Shushi Suzuki, Golam Md Moula, Tsuyoshi Miyamoto, Yuta Nakagawa, Kumiko Kinosthita, Kiyotaka Asakura, S. Ted Oyama, Shigeki Otani. Scanning Tunneling Microscopy and Photoemission Electron Microscopy Studies on Single Crystal Ni<SUB>2</SUB>P Surfaces. Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 9 [1] (2009) 195-201 10.1166/jnn.2009.j051
2008
  1. K. Edamoto, Y. Nakadai, H. Inomata, K. Ozawa, S. Otani. Soft X-ray photoelectron spectroscopy study of Ni2P(0001). Solid State Communications. 148 [3-4] (2008) 135-138 10.1016/j.ssc.2008.07.037
  2. T Aizawa, S Suehara, S Hishita, S Otani. Surface phonon dispersion of \mathrm {ZrB_2}(0001)\sqrt {3} \times \sqrt {3}\mbox {-}\mathrm {B}. Journal of Physics: Condensed Matter. 20 [26] (2008) 265006 10.1088/0953-8984/20/26/265006
  3. Kumiko Kinoshita, Georg Hermann Simon, Thomas König, Markus Heyde, Hans-Joachim Freund, Yuta Nakagawa, Shushi Suzuki, Wang-Jae Chun, Shigeo Ted Oyama, Shigeki Otani, Kiyotaka Asakura. A Scanning Tunneling Microscopy Observation of ($\sqrt{3}\times\sqrt{3}$) R30° Reconstructed Ni2P(0001). Japanese Journal of Applied Physics. 47 [7] (2008) 6088-6091 10.1143/jjap.47.6088
  4. 大谷 茂樹. チョクラルスキー法等. 無機材料必須300―原理・物性・応用. (2008) 170-313
  5. S. Otani, T. Aizawa. Floating-zone growth of CrB2 single crystals. Journal of Alloys and Compounds. 454 [1-2] (2008) 147-149 10.1016/j.jallcom.2006.12.068
  6. Wataru Hayami, Shigeki Otani. Effect of Codoping in α-Rhombohedral Boron. The Journal of Physical Chemistry C. 112 [7] (2008) 2711-2715 10.1021/jp710239f
  7. Takashi Aizawa, Shunichi Hishita, Shigeki Otani. Plasma-assisted molecular-beam epitaxy of GaN on transition-metal carbide (111) surfaces. Journal of Crystal Growth. 310 [1] (2008) 22-25 10.1016/j.jcrysgro.2007.09.042
2007
  1. K. Edamoto, T. Nagayama, K. Ozawa, S. Otani. Angle-resolved and resonant photoemission study of the ZrO-like film on ZrC(100). Surface Science. 601 [21] (2007) 5077-5082 10.1016/j.susc.2007.09.010
  2. R. Kadono, S. Kuroiwa, J. Akimitsu, A. Koda, K. Ohishi, W. Higemoto, S. Otani. Microscopic properties of vortex states inYB6probed by muon spin rotation. Physical Review B. 76 [9] (2007) 10.1103/physrevb.76.094501
  3. Wataru Hayami, Shigeki Otani. Surface Energy and Growth Mechanism of β-Tetragonal Boron Crystal. The Journal of Physical Chemistry C. 111 [28] (2007) 10394-10397 10.1021/jp072594z
  4. S. Otani, T. Aizawa, N. Kieda. Removal of carbon impurities from boride powders: ZrB2, NbB2, CrB2, and LaB6. Journal of Alloys and Compounds. 429 [1-2] (2007) 321-323 10.1016/j.jallcom.2006.04.026
  5. M. Kato, T. Sato, K. Ozawa, K. Edamoto, Y. Nakadai, S. Otani. Oxygen adsorption on a Mo2C(0001) surface: Angle-resolved photoemission study. Surface Science. 601 [1] (2007) 201-208 10.1016/j.susc.2006.09.025
  6. Wataru Hayami, Shigeki Otani. The Role of Surface Energy in the Growth of Boron Crystals. The Journal of Physical Chemistry C. 111 [2] (2007) 688-692 10.1021/jp065680s
2006
  1. S. Nakamura, M. Endo, H. Yamamoto, T. Isshiki, N. Kimura, H. Aoki, T. Nojima, S. Otani, S. Kunii. Unusual Evolution of the Conduction-Electron State inCexLa1−xB6from Non-Fermi Liquid to Fermi Liquid. Physical Review Letters. 97 [23] (2006) 10.1103/physrevlett.97.237204
  2. Takashi Aizawa, Shigeki Otani, Shunichi Hishita. Interface stabilization by Al in GaN and AlN epitaxies on NbB2(0001). Applied Physics Letters. 89 [18] (2006) 181913 10.1063/1.2384797
  3. A. Ueno, T. Fujita, M. Matsue, H. Yanagisawa, C. Oshima, F. Patthey, H.-C. Ploigt, W.-D. Schneider, S. Otani. Scanning tunneling microscopy study on a BC3 covered NbB2(0001) surface. Surface Science. 600 [17] (2006) 3518-3521 10.1016/j.susc.2006.07.007
  4. M. Kato, T. Sato, K. Ozawa, K. Edamoto, S. Otani. Surface electronic structure of α-Mo2C(0001). Surface Science. 600 [2] (2006) 448-452 10.1016/j.susc.2005.10.043
  5. H. Yanagisawa, T. Tanaka, Y. Ishida, E. Rokuta, S. Otani, C. Oshima. Phonon dispersion curves of stable and metastableBC3honeycomb epitaxial sheets and their chemical bonding: Experiment and theory. Physical Review B. 73 [4] (2006) 10.1103/physrevb.73.045412
  6. Md. Golam Moula, Shushi Suzuki, Wang-Jae Chun, Shigeki Otani, Shigeo Ted Oyama, Kiyotaka Asakura. The First Atomic-scale Observation of a Ni2P(0001) Single Crystal Surface. Chemistry Letters. 35 [1] (2006) 90-91 10.1246/cl.2006.90
2005
  1. Wataru Hayami, Takaho Tanaka, Shigeki Otani. Theoretical Study of the Stability of Lithium Atoms in α-Rhombohedral Boron. The Journal of Physical Chemistry A. 109 [51] (2005) 11975-11979 10.1021/jp053031v
  2. H. Tanaka, Y. Kawamata, H. Simizu, T. Fujita, H. Yanagisawa, S. Otani, C. Oshima. Novel macroscopic BC3 honeycomb sheet. Solid State Communications. 136 [1] (2005) 22-25 10.1016/j.ssc.2005.06.025
  3. Alessandra Bellucci, Daniele Gozzi, Takashi Kimura, Tetsuji Noda, Shigeki Otani. Zirconia growth on zirconium carbide single crystals by oxidation. Surface and Coatings Technology. 197 [2-3] (2005) 294-302 10.1016/j.surfcoat.2004.05.035
  4. Y. Shirotori, K. Sawada, K. Ozawa, K. Edamoto, S. Otani. Electronic structure of the Ti suboxide layer formed on a TiC(100) surface: Angle-resolved photoemission study. Surface Science. 584 [2-3] (2005) 237-244 10.1016/j.susc.2005.03.058
  5. Takashi Aizawa, Shigeru Suehara, Shunichi Hishita, Shigeki Otani, Masao Arai. Surface core-level shift and electronic structure on transition-metal diboride (0001) surfaces. Physical Review B. 71 [16] (2005) 10.1103/physrevb.71.165405
  6. H. Yanagisawa, T. Tanaka, Y. Ishida, M. Matsue, E. Rokuta, S. Otani, C. Oshima. Analysis of phonons in graphene sheets by means of HREELS measurement andab initio calculation. Surface and Interface Analysis. 37 [2] (2005) 133-136 10.1002/sia.1948
2004
  1. 枝元一之, 杉原真理, 小澤健一, OTANI, Shigeki. Oxydation process of Mo2C(0001) studied by photoelectron spectroscopy. APPLIED SURFACE SCIENCE. 237 (2004) 498-502
  2. H. Yanagisawa, T. Tanaka, Y. Ishida, M. Matsue, E. Rokuta, S. Otani, C. Oshima. Phonon Dispersion Curves of aBC3Honeycomb Epitaxial Sheet. Physical Review Letters. 93 [17] (2004) 10.1103/physrevlett.93.177003
  3. Shin’ichi Koizumi, Hisato Yasumatsu, Shigeki Otani, Tamotsu Kondow. Low-energy impact of X−(H2O)n (X=Cl,I) onto solid surface. The Journal of Chemical Physics. 121 [10] (2004) 4833-4838 10.1063/1.1778378
  4. Wataru Hayami, Takashi Aizawa, Takaho Tanaka, Shigeki Otani. Theoretical Study of the Electronic Structures of HfB2(0001)-X (X = Li−Ne) Surfaces. The Journal of Physical Chemistry B. 108 [39] (2004) 15233-15237 10.1021/jp0489727
  5. M Sugihara, K Ozawa, K Edamoto, S Otani. Electronic structure of Mo2C(0001) studied by resonant photoemission spectroscopy. Solid State Communications. 131 [3-4] (2004) 245-249 10.1016/j.ssc.2004.04.049
  6. K Edamoto, M Sugihara, K Ozawa, S Otani. Photoelectron spectroscopy study of oxygen adsorption on Mo2C(0001). Surface Science. 561 [1] (2004) 101-109 10.1016/j.susc.2004.04.038
  7. Daisuke Kanama, S.Ted Oyama, Shigeki Otani, David F Cox. Photoemission and LEED characterization of Ni2P(). Surface Science. 552 [1-3] (2004) 8-16 10.1016/j.susc.2004.01.038
  8. Chun-Hua Chen, Takashi Aizawa, Nobuo Iyi, Akira Sato, Shigeki Otani. Structural refinement and thermal expansion of hexaborides. Journal of Alloys and Compounds. 366 [1-2] (2004) L6-L8 10.1016/s0925-8388(03)00735-7

書籍 TSV

2005
  1. 大谷 茂樹, 森 孝雄. ホウ化物. 日本化学会編 実験化学講座(丸善出版). 2005 , 374-383

会議録 TSV

2009
  1. AIZAWA, Takashi, HISHITA, Shunichi, OTANI, Shigeki. The 2×2 oxidized layer on ZrB2(0001). APPLIED SURFACE SCIENCE 2009, 1120-1123
  2. HAYAMI, Wataru, OTANI, Shigeki. Effect of the Surface Energy on the Growth of Boron Nanocrystals. Journal of Physics: Conference Series 2009, 012017-1-012017-7
  3. Kazuyuki Edamoto , Hiroyuki Inomata, Toru Shimada, Ken-ichi Ozawa, OTANI, Shigeki. Valence and Core-Level Photoelectron Spectroscopy Study of the Electronic Structure of Ni2P(0001). e-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY 2009, 1-6
2007
  1. Gasparov V.A., Ilya Sheikin, OTANI, Shigeki. Electron transport and superconducting properties of ZrB12 and YB6. PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS 2007, 623-625
2006
  1. HAYAMI, Wataru, TANAKA, Takaho, OTANI, Shigeki. Stability of lithium in alpha-rhombohedral boron. Journal of Solid State Chemistry 2006, 2827-2833
  2. Md. Golam Moula, Shushi Suzuki, Wang-Jae Chun, OTANI, Shigeki, S. Ted Oyama, Kiyotaka Asakura. Surface structure of Ni2P(0001) - scanning tunneling microscopy (ATM) and Low-energy electron diffraction (LEED) characterizations. SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS 2006, 1611-1614
  3. H. Yanagisawa, Y. Ishida, T. Tanaka, A. Uedo, OTANI, Shigeki, C. Oshima. Metastable BC3 honeycomb epitaxial sheets on the NbB2(0001) surface. SURFACE SCIENCE 2006, 4072-4076
  4. K. Flachbart, S. Gabani, J. Kaemareik, MORI, Takao, OTANI, Shigeki, V. Pavlik. Low Temperature Properties and Superconductivity of YB6 and YB4. AIP CONFERENCE PROCEEDINGS 2006, 635-636
  5. HISHITA, Shunichi, AIZAWA, Takashi, OTANI, Shigeki, SUEHARA, Shigeru, HANEDA, Hajime. ZINC OXIDE FILM GROWTH ON ZIRCONIUM BORIDE. SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES 2006, 179-184
2004
  1. N.Ohshima, A.Sugihara, N.Okabe, N.Yoshida, OTANI, Shigeki. Growth process of GaN layer on ZrB2 substrate by gas source molecular beam epitaxy. TRANSACTIONS OF THE MATERIALS RESEARCH SOCIETY OF JAPAN 2004, 2583-2586

口頭発表 TSV

2019
  1. 相澤 俊, 末原 茂, 大谷 茂樹. Phonon dispersion of CrB2(0001) surface. 20th International Symposium on Boron, Borides and Related Materials (ISBB 2019). 2019
  2. 相澤 俊, 末原 茂, 大谷 茂樹. ZrB2(0001)上の新二次元ホウ化ケイ素「シリボロフェン」. 第13回日本ホウ素・ホウ化物研究会. 2019
2016
  1. 小嶋健児, 平松雅俊, 山内一宏, 岡部博孝, 幸田章宏, 門野良典, Xiao Zhang, 松石聡, 細野秀雄, 平田 和人, 大谷 茂樹, 大橋 直樹. ミュオンスピン緩和を用いた2次元エレクトライドY2Cの強磁性基底状態の探索. 日本物理学会 第71回年次大会(2016). 2016
2014
  1. AIZAWA, Takashi, OTANI, Shigeki, OHKUBO, Isao, MORI, Takao. ZrC epitaxy on Si(111). The seventh international symposium on surface science. 2014
  2. 大谷 茂樹. FZ法による高融点単結晶の育成. 大島研究室ゼミ. 2014
  3. 速水 渉, 桃沢愛, 大谷 茂樹. WB2とMoB2の生成におけるホウ素欠陥の影響. 日本物理学会第69回年次大会. 2014
2013
  1. 相澤 俊, 末原 茂, 大谷 茂樹. ZrB2(0001)上Si超薄膜のフォノン. 第9回日本ホウ素ホウ化物研究会. 2013
  2. 速水 渉, 桃沢愛, 大谷 茂樹. WB2及びMoB2の生成におけるホウ素欠陥の影響:AlB2型のWB2の存在可能性について. 第九回 日本ホウ素・ホウ化物研究会. 2013
  3. Rie Horie, Fumihiko Matsui, Masaru Takizawa, OTANI, Shigeki, AIZAWA, Takashi, Hidetoshi Namba, Hiroshi Daimon. Valence-Band Atomic-Orbital Analysis of Transition-metal diboride by Two-Dimensional Photoelectron Spectroscopy . ALC . 2013
  4. 大谷 茂樹, 瀬川 浩代, 大橋 直樹. CeB4の合成とFZ法による単結晶育成. 第33回エレクトロセラミックス研究討論会. 2013
  5. 堀江理恵, 松井文彦, 滝沢 優, 相澤 俊, 大谷 茂樹, 難波秀利, 大門 寛. 直線偏光2次元光電子分光法による遷移金属二ホウ化物の原子軌道解析. 日本物理学会2013年秋季大会. 2013
  6. Rie Horie, Fumihiko Matsui, Naoyuki Maejima, Hirosuke Matsui, Tomohiro Matsushita, OTANI, Shigeki, AIZAWA, Takashi, Hiroshi Daimon. Atomic structure analysis of heteroepitaxially-grown oxide film on ZrB2 by two-dimensional circularly-polarized-light photoelectron diffraction. 2013 JSAP-MRS Joint Symposia. 2013
  7. Eishiro Toyoda, Ryosuke Jinnouchi, Tetsu Ohsuna, Tatsuya Hatanaka, Yu Morimoto, AIZAWA, Takashi, OTANI, Shigeki, Kei Mitsuhara, Yoshiaki Kido. Pt thin layer on metal diboride for oxygen reduction electrocatalyst. 64th Annual Meeting of ISE. 2013
  8. 豊田英司郎, 陣内亮典, 大砂哲, 畑中達也, 森本友, 大谷 茂樹, 相澤 俊, 城戸義明. TaB2(0001)上に形成した薄層白金電極の酸素還元活性. 電気化学会創立第80周年記念大会. 2013
2012
  1. Rie Horie, Fumihiko Matsui, Masaru Takizawa, Naoyuki Maejima, Hirosuke Matsui, Tomohiro Matsushita, OTANI, Shigeki, AIZAWA, Takashi, Hidetoshi Namba, Hiroshi Daimon. Atomic-Orbital Analysis of ZrB2 Valence Band by Linearly-Polarized-Synchrotron Radiation Two-Dimensional Photoelectron Spectroscopy. The twelfth International Conference on Electron Spectroscopy an. 2012
  2. OTANI, Shigeki, OHASHI, Naoki. Preparation of Ni2P and Fe2P single crystals by the floating zone method. The 6th International Conference on the Science and Technology f. 2012
  3. 堀江理恵, 松井文彦, 前島尚行, 松井公佑, 松下智裕, 大谷 茂樹, 相澤 俊, 大門寛. 円偏光二次元光電子分光回折法によるZrB2表面の原子構造解析. 日本物理学会第67回年次大会. 2012
  4. 大谷 茂樹. FZ法による高融点単結晶の育成. 北海道大学大学院工学研究院物質化学部門(講演). 2012
  5. 堀江 理恵, 松井 文彦, 前島 尚行, 松井 公佑, 田中 浩太, 北川 哲, 松下 智裕, 大谷 茂樹, 相澤 俊, 大門 寛. 円偏光二次元光電子分光回折法によるZrB2上の結晶酸化膜の原子構造解析. 第25回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム. 2012
2011
  1. 大谷 茂樹. FZ法によるZrB2単結晶の育成. 第6回日本フラックス成長研究発表会. 2011
  2. 大谷 茂樹. FZ法による高融点単結晶の育成. 第24回秋季シンポジウム. 2011
  3. 速水 渉, 大谷 茂樹. 正八面体対称ホウ素クラスターの構造安定性. 日本物理学会第66回年次大会. 2011
2009
  1. 速水 渉, 大谷 茂樹. コドープされたα菱面体晶ホウ素の第一原理計算による研究. 日本物理学会2009年秋季大会. 2009
  2. 大谷 茂樹, マリア コルスコバ, 相澤 俊. ReB2単結晶の育成と高温硬度. 第22回秋季シンポジウム. 2009
2008
  1. 大谷 茂樹, 相澤 俊. チッ化物形成用ZrB2単結晶の育成. 第1回界面科学研究会 −表面・界面制御による新物質相の探索−. 2008
  2. OTANI, Shigeki. Floating zone growth of ZrB2 single crystals. The 25th Korea-Japan International Seminar on Ceramics. 2008
  3. OTANI, Shigeki, AIZAWA, Takashi, Kieda, Nobuo. Solid solution ranges of zirconium diboride with other refractory diborides: HfB2, TiB2, TaB2, NbB2, VB2, CrB2. 16th International Symposium on Boron, Borides and Related Mater. 2008
2007
  1. 大谷 茂樹. フラックス法によるBaB6単結晶の育成. 第2回日本フラックス成長研究会. 2007
  2. OTANI, Shigeki. Preparation of Ni2P single crystals by the floating zone method. International Symposium on Sustainable Energy and Materials. 2007
  3. 速水 渉, 大谷 茂樹. ホウ素微結晶成長における表面エネルギーの役割II. 日本物理学会 第62回年次大会. 2007
  4. 大谷 茂樹. FZ法によるLaB6単結晶の育成. 日本セラミックス協会 第20回秋季シンポジウム(2007年). 2007
2006
  1. 大谷 茂樹. TiB2-ZrB2系における固溶範囲. 第1回日本フラックス成長研究発表会. 2006
  2. 大谷 茂樹, 相澤 俊. FZ法による(Ti1-xZrx)C単結晶の育成. 第36回結晶成長国内会議. 2006
  3. 速水 渉, 大谷 茂樹. ホウ素微結晶成長における表面エネルギーの役割. 日本物理学会 2006年秋期大会. 2006
  4. 大谷 茂樹, 相澤 俊. FZ法によるTiC単結晶の育成. 第19回秋季シンポジウム. 2006
  5. V. A. Gasparov, OTANI, Shigeki. Electron transport and superconducting properties of ZrB12 and YB6. Materials and mechanisms of superconductivity high temperature V. 2006
  6. 菱田 俊一, 相澤 俊, 大谷 茂樹, 末原 茂, 羽田 肇. ホウ化物及び炭化物基板上での酸化亜鉛薄膜の成長. 日本セラミックス協会 2006年年会. 2006
  7. 相澤 俊, 大谷 茂樹. 遷移金属二ホウ化物基板上での窒化物MBE. 第4回国内ホウ素、ホウ化物研究会. 2006
2005
  1. HISHITA, Shunichi, AIZAWA, Takashi, SUEHARA, Shigeru, OTANI, Shigeki, HANEDA, Hajime. MBE growth of ZnO thin films. 第22回日韓国際セラミックスセミナー. 2005
  2. 大谷 茂樹, 相澤 俊. FZ法によるCrB2単結晶の育成. 第50回人工結晶討論会. 2005
  3. 末原 茂, 相澤 俊, 菱田 俊一, 大谷 茂樹, 新井 正男. MB2(0001)(M=Zr,Nb)表面のXPS 内殻準位シフトの第1 原理計算. 日本セラミックス協会 第18回秋季シンポジウム. 2005
  4. 速水 渉, 田中 高穗, 大谷 茂樹. 分子動力学法によるα菱面体晶ボロン内のLi原子の安定性の研究 . 日本物理学会2005年秋期大会. 2005
  5. OTANI, Shigeki, AIZAWA, Takashi, IYI, Nobuo, 木枝暢夫. Floating zone groth of diiboride single crystals. 15th Internationa Symposium on Boron, Boridees and Related Compo. 2005
  6. M.Watanabe, N.Yamada, J.Nakamura, T.Oguchi, OTANI, Shigeki, S.Nasubida, E.Kobasawa, K.Kuroki. Electronic structure of B-2p state in ZrB2 and HfB2 single crystals. 15th Internationa Symposium on Boron, Borides and related Materi. 2005
  7. 神代悟, 清水博司, 百瀬健太, 大谷 茂樹, 大島忠平. NbB2(0001)上のBC3膜の電子状態の解析. 第52回応用物理学関係連合講演会. 2005
  8. 大島直樹, 岡部直彦, 小寺崇, 高山幸太, 小野仁司, 大谷 茂樹. ZrB2基板上における水素照射のクリーニング効果とZrB2基板上のGaN成長. 第52回応用物理学関係連合講演会. 2005
  9. 大谷 茂樹, 木枝暢夫. ホウ化物の脱炭素処理. 日本セラミックス協会2005年年会. 2005
  10. 菱田 俊一, 相澤 俊, 大谷 茂樹, 両見 春樹, 末原 茂, 羽田 肇. 酸化亜鉛超薄膜の成長. 日本セラミックス協会2005年年会. 2005
  11. 相澤 俊, 末原 茂, 菱田 俊一, 大谷 茂樹, 新井 正男. 遷移金属二ホウ化物(0001)表面の電子状態. 第3回国内ホウ素・ホウ化物研究会. 2005
2004
  1. 岡部直彦, 大島直樹, 吉田直弥, 小寺崇, 高山幸太, 小野仁司, 大谷 茂樹, 相澤 俊. ZrB2基板の水素照射クリーニングの効果とMBE法によるGaN成長. 第15回日本MRS学術シンポジウム. 2004
  2. 大谷 茂樹, 相澤 俊, 井伊 伸夫. FZ法による二ホウ化物単結晶の育成. 第49回人工結晶討論会. 2004
  3. OTANI, Shigeki, AIZAWA, Takashi, 木枝暢夫. Synthesis of zirconium diboride. International Symposium on Inorganic and Environmental Materials. 2004
  4. 黒岩壮吾, 高際寛之, 山澤真紀, 秋光純, 大石一城, 幸田, 門野好典, 髭本亘, 大谷 茂樹. ミュウSR法を用いた第二種超伝導体YB6の磁束状態の研究. 日本物理学会2004年秋季大会. 2004
  5. 大島直樹, 岡部直彦, 吉田直弥, 小寺崇, 高山幸太, 原田和樹, 相澤 俊, 大谷 茂樹. ZrB2基板の水素照射クリーニングとGaN-MBE成長過程. 第65回応用物理学会学術講演会. 2004
  6. 相澤 俊, 末原 茂, 菱田 俊一, 大谷 茂樹. NbB2(0001)とZrB2(0001)のXPS. 日本物理学会第59回年次大会. 2004
  7. 大谷 茂樹, 一之瀬真太, 木枝暢夫. 二ホウ化ジルコニウムの合成. 日本セラミックス協会2004年年会. 2004

特許 TSV

登録特許
  1. 特許第5218960号 二ホウ化ジルコニウム(ZrB2)単結晶の育成法及び半導体形成用基板 (2013)
  2. 特許第4919401号 素子基板とその製造方法 (2012)
  3. 特許第4817099号 炭化物単結晶とその製造方法 (2011)
  4. 特許第4766375号 ホウ化物単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた半導体成長用基板 (2011)
  5. 特許第4538619号 ホウ化物単結晶と半導体形成用基板及びその製造方法 (2010)
  6. 特許第4515674号 ホウ化物単結晶と半導体形成用基板 (2010)
  7. 特許第4480298号 ホウ化物結晶とこれを用いた半導体層形成用基板並びにその製造方法 (2010)
  8. 特許第4327339号 半導体層形成用基板とそれを利用した半導体装置 (2009)
  9. 特許第4302927号 ホウ化物単結晶とその製造方法及びそれを利用した半導体層形成用基板 (2009)
  10. 特許第4159828号 二硼化物単結晶基板、それを用いた半導体レーザダイオード及び半導体装置並びにそれらの製造方法 (2008)
  11. 特許第3869319号 X線管のターゲット及びその製造方法 (2006)
  12. 特許第3755021号 六ホウ化希土類単結晶の育成法 (2006)
  13. 特許第2997760号 二ホウ化ハフニウム単結晶の製造方法 (1999)
  14. 特許第2997762号 六ホウ化カルシウム結晶の育成法 (1999)
  15. 特許第2976013号 六ホウ化希土類電子放射材 (1999)
  16. 特許第2949212号 六ホウ化ランタン単結晶の育成法 (1999)
  17. 特許第2929007号 Va族二ホウ化物単結晶の育成法 (1999)
  18. 特許第2730674号 六ホウ化希土類単結晶の育成法 (1997)
  19. 特許第2642882号 二ホウ化タングステン単結晶の育成法 (1997)
  20. 特許第2580523号 二ホウ化チタン単結晶の育成法 (1996)
  21. 特許第2071930号 ホウ化ランタン系単結晶の育成法 (1996)
  22. 特許第2005290号 六ホウ化ランタン単結晶の育成法 (1996)
  23. 特許第1991471号 高周波電源出力安定化装置とこの装置を用いた単結晶自動育成装置 (1995)
  24. 特許第1946419号 単結晶自動育成法 (1995)
  25. 特許第1946428号 高周波電源出力安定化法 (1995)
  26. 特許第1946420号 黒鉛薄膜を有する金属炭化物とその製造法 (1995)
  27. 特許第1936970号 硼化セリウム系単結晶とその育成法 (1995)
  28. 特許第1936969号 硼化ランタン系単結晶とその育成法 (1995)
  29. 特許第1936979号 硼化希土類単結晶とその育成法 (1995)
  30. 特許第1936980号 硼化ランタン系単結晶とその育成法 (1995)
  31. 特許第1888388号 炭化ニオブフィールドエミッターの作製方法 (1994)
  32. 特許第1853430号 チタン化合物フィールドエミッターの製造方法 (1994)
  33. 特許第1846604号 フィールドエミッターの製造方法 (1994)
  34. 特許第1846605号 高性能フィールドエミッターの製造方法 (1994)
  35. 特許第1846638号 炭窒化ニオブフィールドエミッターの作製方法 (1994)
  36. 特許第1813566号 高安定フィールドエミッターの製造方法 (1994)
  37. 特許第1786621号 遷移金属化合物からなるフィールド・エミッター (1993)
  38. 特許第1778701号 炭化チタン単結晶の育成法 (1993)
  39. 特許第1778703号 炭化チタン単結晶の育成法 (1993)
  40. 特許第1731796号 炭化チタン単結晶の育成法 (1993)
  41. 特許第1725139号 フィールド・エミッター (1993)
  42. 特許第1725147号 高安定電子放射性を示すフィールドエミッターの製造方法 (1993)
  43. 特許第1708249号 チタンオキシカーバイトエミッターの製造方法 (1992)
  44. 特許第1677386号 超高融点化合物の融液からの蒸発現象の測定法 (1992)
  45. 特許第1617112号 表面酸化型炭化物フィールドエミッター (1991)
  46. 特許第1613186号 物質表面の構造決定法 (1991)
  47. 特許第1602839号 チタン炭窒化物の単結晶の製造法 (1991)
  48. 特許第1585044号 タングステンカーバイトの結晶体の製造法 (1990)
  49. 特許第1416331号 イットリウム六十六硼化物(YB66)の結晶体の製造法 (1987)
  50. 特許第1281954号 炭化チタン単結晶の育成法 (1985)
  51. 特許第1281948号 炭化タンタルの結晶体の製造法 (1985)
  52. 特許第1184107号 炭化ジルコニウム結晶体の製造法 (1983)
  53. 特許第1184115号 炭化ハフニウム結晶体の製造法 (1983)
公開特許
  1. 特開2013105709号 燃料電池用電極触媒及び燃料電池 (2013)
  2. 特開2007254232号 炭化物単結晶とその製造方法 (2007)
  3. 特開2007169083号 半導体結晶成長用炭化物単結晶基板 (2007)
  4. 特開2007031252号 ホウ化物単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた半導体成長用基板 (2007)
外国特許
  1. No. EP1538243A4 DIBORIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THIS AND ITS MANUFACTURING METHOD (2008)
  2. No. EP1176231A3 A boride-based substrate for growing semiconducting layers thereon and a semiconductor device using the same (2006)
  3. No. US20060102924A1 Diboride single crystal substrate, semiconductor device using this and its manufacturing method (2006)
  4. No. CN1678772A Diboride single crystal substrate, semiconductor device using this and its manufacturing method (2005)
  5. No. EP1538243A1 DIBORIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THIS AND ITS MANUFACTURING METHOD (2005)
  6. No. WO2004018743A1 DIBORIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THIS AND ITS MANUFACTURING METHOD (2004)
  7. No. US20020038892A1 Boride-based substrate for growing semiconducting layers thereon and a semiconductor devise using the same (2002)
  8. No. EP1176231A2 Use of a boride-based substrate for growing nitride semiconductor layers thereon and semiconductor device using the same (2002)

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